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TMS320F28035 具有 60MHz 频率、128KB 闪存、CLA 的 C2000™ MCU

特性：通用特性：嵌入式3个带DDC1/2B/CI的DDC。支持缩放放大和缩小。嵌入式一个带SPI闪存控制器的MCU。在D型连接器、LED背光和键盘应用中包含8个ADC。支持红外遥控功能。仅需一个晶体来生成所有时序。可编程内部低压复位（LVR）。高分辨率6通道PWM输出，且PWM频率可选范围广

特性：处理器：Arm Cortex-M0+ CPU，最高运行频率48 MHz，具有单周期硬件乘法器和微跟踪缓冲区（MTB）。存储器:4/2/1/0.5 KB 可读写闪存部分（256KB 设备上不可用）。256/128/64/32/16 KB 系统内可自编程闪存。32/16/8/4 KB SRAM 内存。系统:上电复位（POR）和欠压检测（BOD）。内部和外部时钟选项，配备 48 MHz 数字锁相环（DFLL48M）和 48 MHz 至 96 MHz 分数数字锁相环（FDPLL96M）。外部中断控制器（EIC）。16 个外部中断

32 Bit 80MHz 512KB (512Kx8) FLASH 替代FX32K144HAT0MLLT

特性：动态效率线，具备批量采集模式（BAM）。 电源电压：1.7 V至3.6 V。 温度范围：-40℃至85/105/125℃。 内核：带有浮点单元（FPU）的32位Cortex®-M4 CPU，自适应实时加速器（ART Accelerator™），可实现从闪存零等待状态执行，频率高达100 MHz，具备内存保护单元，125 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持DSP指令。

基于16位/32位ARM7TDMI-S CPU，具有实时仿真功能，结合了8 kB、16 kB或32 kB的嵌入式高速闪存。128位宽的内存接口和独特的加速器架构，可在最大时钟速率下实现32位代码执行。对于中断服务程序和DSP算法，性能比Thumb模式提高达30%。对于关键代码大小应用，16位Thumb模式可将代码减少30%以上，且性能损失最小

特性：核心：ARM Cortex-M4 32位CPU，带有72 MHz FPU、单周期乘法和硬件除法、90 DMIPS（来自CCM）、DSP指令和MPU（内存保护单元）。 VDD、VDA电压范围：2.0V至3.6V。 高达512 Kbytes的闪存，64 Kbytes的SRAM，前32 Kbytes实现硬件奇偶校验。常规增强器：指令和数据总线上16 Kbytes的SRAM，带硬件奇偶校验（CCM）。 用于静态存储器的灵活内存控制器（FSMC），带有四个片选。 CRC计算单元。 上电/掉电复位（POR/PDR）。 可编程电压检测器（PVD）

特性：核心:ARM 32 位 Cortex M4 CPU 带 FPU,自适应实时加速器(ART AcceleratorTM)允许从闪存零等待状态执行,频率高达 180 MHz,具备 MPU、225 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)和 DSP 指令。存储器:512 kB 闪存、128 KB SRAM,灵活的外部存储器控制器,支持高达 16 位数据总线,可连接 SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、Flash NOR/NAND 存储器,具备双模式 Quad SPI 接口。LCD 并行接口,支持 8080/6800 模式。时钟、复位和电源管理:1.7 V 至 3.6 V 应用电源和 I/O,具备 POR、PDR、PVD 和 BOR,4 至 26 MHz 晶体振荡器,内部 16 MHz 工厂校准 RC(精度 1%),32 kHz 用于 RTC 的振荡器且可校准,内部 32 kHz RC 且可校准。

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特性：核心：ARM 32位Cortex-M3 CPU（最高120 MHz），带有自适应实时加速器（ART Accelerator允许从闪存中实现零等待状态执行性能），MPU，150 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）。 高达1 Mbyte的闪存。 512字节的一次性可编程（OTP）内存。 高达128 + 4 Kbytes的SRAM。 灵活的静态内存控制器，支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND内存。 LCD并行接口，8080/6800模式

AT90CAN32/64/128 是一种基于增强型 RISC 架构的低功耗 CMOS 8 位微控制器。通过在单个时钟周期内执行强大的指令，AT90CAN32/64/128 实现了接近每 MHz 1 MIPS 的吞吐量，使系统设计人员能够优化功耗与处理速度之间的平衡。AVR 内核结合了丰富的指令集和 32 个通用工作寄存器。所有 32 个寄存器都直接连接到算术逻辑单元 (ALU)，允许在一个时钟周期内执行的一条指令中访问两个独立的寄存器。由此产生的架构代码效率更高，同时实现了比传统 CISC 微控制器快十倍的吞吐量。AT90CAN32/64/128 提供以下功能：32K/64K/128K 字节的具有读写同步能力的系统内可编程闪存，1K/2K/4K 字节 EEPROM，2K/4K/4K 字节 SRAM，53 个通用 I/O 线，32 个通用工作寄存器，一个 CAN 控制器，实时时钟 (RTC)，四个灵活的带比较模式和 PWM 的定时器/计数器，两个 USART，面向字节的两线串行接口，8 通道 10 位 ADC 带有可选差分输入级和可编程增益，带有内部振荡器的可编程看门狗定时器，SPI 串行端口，符合 IEEE std. 1149.1 标准的 JTAG 测试接口（也用于访问片上调试系统和编程），以及五种软件可选的节能模式。空闲模式会停止 CPU 的运行，但允许 SRAM、定时器/计数器、SPI/CAN 端口和中断系统继续工作。掉电模式保存寄存器内容，但冻结振荡器，禁用所有其他芯片功能，直到下一次中断或硬件复位。在省电模式下，异步定时器继续运行，允许用户在设备其余部分处于休眠状态时保持定时器基准。ADC 降噪模式停止 CPU 和除异步定时器和 ADC 之外的所有 I/O 模块，以在 ADC 转换期间最小化开关噪声。在待机模式下，晶体/谐振器振荡器运行，而设备的其余部分处于休眠状态。这使得可以快速启动并结合低功耗。该设备采用 Atmel 的高密度非易失性存储技术制造。片上 ISP Flash 允许通过 SPI 串行接口、传统的非易失性存储器编程器或运行在 AVR 内核上的片上引导程序对程序存储器进行系统内重新编程。引导程序可以使用任何接口将应用程序下载到应用程序闪存中。当应用程序闪存部分更新时，引导闪存部分中的软件将继续运行，提供真正的读写同步操作。通过将 8 位 RISC CPU 与系统内自编程闪存结合在单片芯片上，Atmel AT90CAN32/64/128 成为一种功能强大的微控制器，为许多嵌入式控制应用提供了高度灵活且经济高效的解决方案。

特性：核心：ARM 32位Cortex™-M3 CPU，最高频率72 MHz，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），单周期乘法和硬件除法。 256至512 Kbytes的闪存，高达64 Kbytes的SRAM。 灵活的静态内存控制器，带有4个片选，支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND内存。 LCD并行接口，8080/6800模式。 时钟、复位和电源管理：2.0至3.6 V应用电源和I/O，POR、PDR和可编程电压检测器（PVD），4至16 MHz晶体振荡器，内部8 MHz工厂校准RC，内部40 kHz带校准的RC，32 kHz带校准的RTC振荡器。 睡眠、停止和待机模式，VBAT为RTC和备份寄存器供电

特性：核心：ARM 32位Cortex-M4 CPU，带FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator），允许从闪存零等待状态执行，频率高达168 MHz，具备内存保护单元，210 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持DSP指令。 存储器：高达1 Mbyte闪存，高达192 + 4 Kbytes SRAM，包括64 Kbyte CCM（核心耦合内存）数据RAM，灵活的静态内存控制器，支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器。 LCD并行接口，支持8080/6800模式。

SAM7X512/256/128 是一款基于32位ARM RISC处理器的高度集成的闪存微控制器。它具有512/256/128 K字节的高速闪存和128/64/32 K字节的SRAM，以及包括802.3以太网MAC和CAN控制器在内的一系列外设。一套完整的系统功能减少了外部组件的数量。嵌入式闪存可以通过JTAG-ICE接口在系统中编程，或者在安装前通过生产编程器上的并行接口进行编程。内置的锁定位和安全位可以防止固件被意外覆盖，并保护其机密性。SAM7X512/256/128系统控制器包括一个复位控制器，能够管理微控制器和整个系统的上电顺序。设备的正确运行可以通过内置的掉电检测器和运行于集成RC振荡器上的看门狗来监控。通过将ARM7TDMI处理器与片上闪存和SRAM以及包括USART、SPI、CAN控制器、以太网MAC、定时计数器、RTT和模数转换器在内的多种外设功能结合在一个单芯片上，SAM7X512/256/128是一款强大的设备，为许多需要通过以太网、有线CAN和ZigBee无线网络进行通信的嵌入式控制应用提供了灵活且经济高效的解决方案。

基于 ARM926EJ-S 的 SAM9G45 具有用户界面功能和高数据速率连接的常见组合，包括 LCD 控制器、电阻式触摸屏、摄像头接口、音频、10/100 Ethernet 和高速 USB 及 SDIO。处理器运行在 400 MHz，且有多个 100+ Mbps 数据速率外设，SAM9G45 具备向网络或本地存储介质传输数据的性能和带宽，以提供足够的用户体验。

特性：内核：带有FPU的32位Cortex-M4 CPU、在Flash存储器中实现零等待状态运行性能的自适应实时加速器（ART加速器）、主频高达180MHz，MPU，能够实现高达225DMIPS/1.25DMIPS/MHz（Dhrystone2.1）的性能，具有DSP指令集。 高达2MB Flash，组织为两个区，可读写同步。 高达256 + 4KB的SRAM，包括64-KB的CCM（内核耦合存储器）数据RAM。 具有高达32位数据总线的灵活外部存储控制器：SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR、SDRAM、Compact Flash/NOR/NAND存储器。 LCD并行接口，兼容8080/8600模式。 LCD-TFT控制器有高达XGA的分辨率，具有专用的Chrom-ART Accelerator，用于增强的图形内容创建（DMA2D）。 1.7V到3.6V供电和I/O。 POR、PDR、PVD和BOR

特性：包含意法半导体最先进的专利技术。 32位Arm Cortex-M7内核，带双精度浮点单元和L1缓存：16KB数据缓存和16KB指令缓存；频率高达480MHz，具备MPU，1027 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持DSP指令。 高达2MB的闪存，支持边读边写。 高达1MB的RAM：192KB的TCM RAM（包括64KB的ITCM RAM + 128KB的DTCM RAM用于时间关键程序），高达864KB的用户SRAM，以及备份域中的4KB SRAM。 双模式Quad-SPI内存接口，运行频率高达133MHz。 灵活的外部内存控制器，高达32位数据总线：SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND闪存，同步模式下时钟频率高达100MHz。 CRC计算单元。 ROP、PC-ROP、主动防篡改

TMS320F2808 具有 100MHz 频率、128kB 闪存、12 通道 PWM 的 C2000™ MCU

是高度集成的视觉处理器SoC，适用于IPC，特别是与AI相关的应用。基于单核ARM Cortex-A7 32位内核，集成了NEON和FPU，有32KB I-cache、32KB D-cache和128KB统一L2缓存。内置NPU支持INT4/INT8/INT16混合运算，计算能力高达0.5或1 TOPS（RV1106G2：0.5 TOPS；RV1106G3：1 TOPS），且兼容性强，可轻松转换基于TensorFlow/MXNet/PyTorch/Caffe等一系列框架的网络模型。引入新一代全硬件的最大500万像素ISP（图像信号处理器），实现了许多算法加速器，如HDR、3A、LSC、3DNR、2DNR、锐化、去雾、伽马校正等

Zynq -7000 SoCs 有 -3、-2、-2LI、-1 和 -1LQ 速度等级可供选择，其中 -3 性能最高。-2LI 设备在可编程逻辑 (PL) V_CCIINT/V_CC_BRAM=0.95V 下运行，并经过筛选以降低最大静态功耗。-2LI 设备的速度规格与 -2 设备相同。-1LQ 设备在与 -1Q 设备相同的电压和速度下运行，并经过筛选以降低功耗。Zynq-7000 设备的直流和交流特性在商业级、扩展级、工业级和扩展 (Q-temp) 温度范围内指定。除非另有说明，否则对于特定速度等级（即，-1 速度等级工业级设备的时序特性与 -1 速度等级商业级设备相同），所有直流和交流电气参数是相同的。但是，只有选定的速度等级和/或设备在商业级、扩展级或工业级温度范围内可用。所有电源电压和结温规格均代表最坏情况条件。包含的参数是流行设计和典型应用中的常见参数。