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针对成本敏感和电池供电的应用进行了优化，需要低功耗通用连接。

特性：核心：32位Cortex-M0+ CPU，频率高达64 MHz。工作温度：-40℃至85℃/125℃。内存:高达64 KB的闪存。8 KB带硬件奇偶校验的SRAM。CRC计算单元。复位和电源管理:电压范围：1.7 V至3.6 V

MSP430G2402 具有 8KB 闪存、256B SRAM、SPI/I2C、计时器的 16MHz MCU

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特性：工作条件：工作电源范围 1.8V 至 3.6V（掉电时低至 1.65V）；温度范围：-40℃ 至 85℃、105℃ 或 125℃。 低功耗特性：5 种低功耗模式（等待、低功耗运行 (5.1μA)、低功耗等待 (3μA)、带完整 RTC 的活动暂停 (1.3μA)、暂停 (350nA)）；功耗：195μA/MHz@440μA；每个 I/O 超低泄漏：50nA；从暂停快速唤醒：4.7μs。 先进的 STM8 内核：哈佛架构和 3 级流水线；最大频率 16MHz，16 CISC MIPS 峰值；多达 40 个外部中断源。 复位和电源管理：低功耗、超安全的 BOR 复位，有 5 个可选阈值；超低功耗 POR/PDR；可编程电压检测器 (PVD)。 时钟管理：1 至 16MHz 晶体振荡器；32kHz 晶体振荡器；内部 16MHz 工厂校准 RC；内部 38kHz 低功耗 RC；时钟安全系统。 低功耗 RTC：带闹钟中断的 BCD 日历；通过周期性中断从暂停自动唤醒

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特性：核心：ARM 32位Cortex-MO CPU，频率高达48 MHz。存储器：16至64 KB的闪存；8 KB的SRAM，带硬件奇偶校验。CRC计算单元。复位和电源管理:数字和I/O电源：VDD = 2.0 V至3.6 V。模拟电源：VDDA = 从VDD至3.6 V。上电/掉电复位（POR/PDR）

商城规格书仅供参考，具体参考小华官网最新资料手册

频率 (MHz)：200，FLASH (KB)：128，SRAM (KB)：64，CPU：ARM? Cortex?-M4，工作电压（V）：2.6~3.6，工作温度：-40°C ~ 105°C，封装：QFN48

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是超低功耗微控制器，基于高性能 Arm Cortex M0+ 32 位 RISC 内核，工作频率高达 56 MHz。嵌入高速存储器（高达 256 Kbyte 闪存和 40 Kbyte 带硬件奇偶校验的 SRAM），以及广泛的增强型 I/O 和连接到 APB 和 AHB 总线的外设，还有 32 位多 AHB 总线矩阵。还嵌入了用于嵌入式闪存和 SRAM 的保护机制，如读取保护和写入保护。提供 12 位 ADC、12 位 DAC、两个嵌入式轨到轨模拟比较器、一个运算放大器、一个低功耗 RTC、一个通用 32 位定时器、一个专用于电机控制的 16 位 PWM 定时器、三个通用 16 位定时器和三个 16 位低功耗定时器。还嵌入多达 21 个电容感应通道，以及一个集成 LCD 控制器，可通过内部升压转换器驱动 8×48 或 4×52 段。具有标准和高级通信接口，即四个 I2C、三个 SPI、四个 USART 和三个低功耗 UART，以及一个无晶振 USB 全速设备

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特性：核心：32位Cortex-M0+ CPU，频率高达64 MHz。 工作温度：-40°C至85°C/125°C。 存储器：高达128 KB的闪存，36 KB的SRAM（32 KB带硬件奇偶校验）。 CRC计算单元。 复位和电源管理：电压范围1.7 V至3.6 V；上电/掉电复位（POR/PDR）；可编程欠压复位（BOR）；可编程电压检测器（PVD）；低功耗模式：睡眠、停止、待机、关机；RTC和备份寄存器的VBAT电源。 时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器；带校准的32 kHz晶体振荡器；带PLL选项（±1%）的内部16 MHz RC；内部32 kHz RC振荡器（±5%）

使用带有硬件乘法器的AVR处理器，最高运行频率为16 MHz，在20或24引脚封装中配备32 KB闪存、2 KB SRAM和256字节EEPROM。采用具有灵活低功耗架构的最新技术，包括事件系统、精确的模拟功能和独立于内核的外设（CIP）。集成的外设触摸控制器（PTC）支持带驱动屏蔽+和增强模式技术的电容式触摸接口。

STC15W4K56S4-30I-LQFP44增强版51单片机

商城规格书仅供参考，具体参考小华官网最新资料手册

特性：超低功耗平台，1.65V至3.6V电源，-40至125℃温度范围。 0.23μA待机模式（2个唤醒引脚）。 0.35μA停止模式（16个唤醒线）。 0.6μA停止模式 + RTC + 8KB RAM保留。 运行模式下低至76μA/MHz。 5μs唤醒时间（从闪存）

频率 (MHz)：240，FLASH (KB)：256，SRAM (KB)：224，CPU：ARM? Cortex?-M4，工作电压（V）：2.6~3.6，工作温度：-40°C ~ 105°C，封装：LQFP100

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