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由8位移位寄存器和8位锁存器组成的移位/存储寄存器。移位寄存器中的读取数据可以通过异步选通输入被锁存器接收，因此数据传输模式可以保持输出。

SN74LV594A 具有输出寄存器的 8 位移位寄存器

该器件引脚与LS597相同，其输入与标准CMOS输出兼容，通过上拉电阻，也与LSTTL输出兼容。此器件由一个8位输入锁存器组成，该锁存器将并行数据馈送到一个8位移位寄存器。数据也可以串行加载。其功能与HC589A类似，HC589A是一个三态器件。

SN74HC165 8 位并行负载移位寄存器

SN74HC165 8 位并行负载移位寄存器

HT74HC164 是一款 8 位串行输入、并行输出移位寄存器。它提供了两个串行数据输入 A1 和 A2，因此其中一个输入可作为数据使能端。数据在时钟信号的每个上升沿输入

库存超2年，现货特价清仓

GN164D 是高速CMOS 电路，管脚与低功耗肖特基TTL（LSTTL）系列兼容。GN164D 是8 位的串入并出、边沿触发的移位寄存器，串入数据由DSA、DSB 输入，在每个时钟CP 的上升沿数据向右移一位，数据由DSA 和DSB 相与而成，且在上升沿到来之前已满足了建立时间。低电平有效的复位信号将直接把寄存器清零而输出为低。

CMOS 8级移位存储总线寄存器

用数字信号控制多路调制/选 择模拟开关，具有低导通电阻和很低的截止漏电流

是 8 位串行或并行输入/串行输出移位寄存器。该器件具有一个串行数据输入（DS）、八个并行数据输入（D0 至 D7）和两个互补串行输出（Q7 和 Q7）。当并行加载输入（PL）为低电平时，来自 D0 至 D7 的数据将异步加载到移位寄存器中。当 PL 为高电平时，数据在 DS 处串行进入寄存器。当时钟使能输入（CE）为低电平时，数据在 CP 输入的低到高转换时移位。CE 上的高电平将禁用 CP 输入。输入可承受高达 15V 的过电压，这使该器件可用于高到低电平转换应用。

74HC165是一个8位串行或并行输入/串行输出移位寄存器。

HG74HC164 是一款采用高速 CMOS 工艺技术设计的两线输入的 8 位寄存器。寄存器由主从 D 型触发器构成，它具有很高的抗噪型和抗干性。在时钟 CLOCK 上升沿到来时 8 位二进制数据（ $( \mathsf { Q a } \mathsf { \tilde { Q } } \mathsf { Q } )$ ）向右移一位。带有一个清 0 输入端，可以轻松实现输出数据的清零。改移位寄存器也可以根据需要实现多级芯片扩展输出。

一款并行输入转串行输出的位移寄存器电路，异步8位并行读取；同步串行输入。电源电压2-6V

74HC595PW-HX是高速硅栅CMOS器件，兼容LSTTL，符合JEDEC 7A。内含8位串行移位寄存器和存储寄存器，带三态输出。移位时钟SH_CP上升沿数据移位，存储时钟ST_CP上升沿数据锁存。

HT4015A双4位静态移位寄存器采用MOS P沟道和N沟道增强型器件，集成于单一单片结构中。它由两个相同且独立的4位移位串行输入/并行输出寄存器组成。每个寄存器都有独立的时钟和复位输入，以及一个串行数据输入

74系列 逻辑芯片 高速CMOS两线输入的 8 位移位寄存器

74LV4094是一款8位串行输入/串行或并行输出移位寄存器，带有存储寄存器和三态输出。移位寄存器和存储寄存器均有独立的时钟。该器件具有一个串行输入（D）和两个串行输出（QS1和QS2），支持级联

是8位串行或并行输入/串行输出移位寄存器，具有串行数据输入（SER）、八个并行数据输入（D0至D7）和两个互补串行输出（Q7和Q7）。当并行加载输入（PL）为低电平时，数据从D0至D7异步加载到移位寄存器中。当PL为高电平时，数据在SER处串行进入寄存器。当时钟使能输入（CE）为低电平时，数据在CLK输入的低到高转换时移位。CE为高电平时将禁用CLK输入。输入可承受高达15V的过电压，可用于高到低电平转换应用。

74HC164 是一款采用高速CMOS 工艺技术设计的两线输入的8 位寄存器。寄存器由主从D 型触发器构成，它具有很高的抗噪型和抗干性。