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SN74LS165是一个8位串行或并行输入/串行输出移位寄存器。该电路具有一个串行数据输入（DS），八个并行数据输入（D0~D7）和两个互补的串行输出（Q7和Q7）。当并行加载输入（PL）为低电平时，将D0到D7的数据异步加载到移位寄存器中。

逻辑电路 4 位双向移位寄存器

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高性能硅门极 CMOS MC74HC589A 的功能与 HC597 相似，但不是 3 态器件。该器件输入兼容标准的 CMOS 输出；带有上拉电阻器，可兼容 LSTTL 输出。此器件包括一个 8 位存储锁存，为 8 位移位寄存器馈送并行数据。数据也可串行加载（参见功能表）。移位寄存器 QH 是一种三态输出，使得此器件能够用于总线导向的系统。HC589A 直接接口 CMOS MPU 和 MCU 上的 Motorola SPI 串行数据端口。

SN74LV165A 并联负载八位移位寄存器

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是 8 位串行或并行输入/串行输出移位寄存器，具有一个串行数据输入（DS）、八个并行数据输入（D0 至 D7）和两个互补串行输出（Q7 和 Q7）。当并行加载输入（PL）为低电平时，数据从 D0 到 D7 异步加载到移位寄存器中。当 PL 为高电平时，数据在 DS 处串行进入寄存器。当时钟使能输入（CE）为低电平时，数据在 CP 输入的低到高转换时移位。CE 上的高电平将禁用 CP 输入。输入可承受高达 15 V 的过电压，适用于高到低电平转换应用。本产品已通过汽车电子委员会 (AEC) Q100（1 级）标准认证，适用于汽车应用。

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HCF4094是一款采用金属氧化物半导体技术制造的单片集成电路，采用SO - 16封装。HCF4094是一个8级串行移位寄存器，每一级都配有一个存储锁存器，用于将数据从串行输入选通到并行缓冲三态输出。并行输出可直接连接到公共总线上

是一个8位移位和存储寄存器，为8位串行输入/串行或并行输出移位寄存器，带有存储寄存器和三态输出。移位寄存器和存储寄存器都有独立的时钟。该器件具有一个串行输入（D）和两个串行输出（QS1和QS2），以便进行级联。数据在CP输入的低到高转换时移位

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SN74HCT165 8 位并行输入/串行输出移位寄存器

是高速CMOS 8位并行/串行输入、串行输出移位寄存器，采用硅栅C²MOS技术制造。它能实现与等效LSTTL相似的高速操作，同时保持CMOS的低功耗特性。由带门控时钟输入的并行输入或串行输入、串行输出8位移位寄存器组成。当SHIFT/LOAD输入为高电平时，串行数据输入启用，8个触发器随每个时钟脉冲进行串行移位。当SHIFT/LOAD输入为低电平时，并行数据在时钟脉冲的正跳变沿异步加载到寄存器中。CK-INH输入仅在CK输入为高电平时应置为高电平。所有输入都配备了防静电放电或瞬态过电压的保护电路。

是一个带有输入触发器的8位移位寄存器。它由一个8位存储寄存器和一个并行输入、串行输出的8位移位寄存器组成。存储寄存器和移位寄存器都有正边沿触发时钟。移位寄存器还有直接加载（来自存储）和清零输入。输入包括钳位二极管，允许使用限流电阻将输入连接到超过VCC的电压。本产品已通过汽车电子委员会（AEC）Q100（1级）标准认证，适用于汽车应用。

SN74HCS165 具有施密特触发器输入的 8 位并行负载移位寄存器

SN74LS595是带有一个存储寄存器和三态输出的8位串入/串或并出的移位寄存器。移位寄存器和存储寄存器都有独立的时钟。该器件具有一个串行输入（DS）和一个串行输出（Q7S），以实现级联和一个异步复位MR输入。

TPIC6B596 用于增强级联的 8 位移位寄存器

TPIC6A595 350mA/通道 8 位移位寄存器

74HC595D 是高速硅栅CMOS 器件，接脚兼容低功耗肖特基TTL 电路（LSTTL）。它符合JEDEC 标准no.7A.74HC595D 由八段带有存储寄存器和三态输出的串行移位寄存器组成。而移位寄存器和存储寄存器拥有分开的时钟。

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