特性:8位HCS08中央处理器单元(CPU)。5.5V至2.7V,温度范围为-40℃至85℃和-40℃至105℃时,CPU最高可达40MHz。带有新增BGND指令的HCS08指令集。支持多达32个中断/复位源。 片上存储器。32KB或18KB双阵列闪存;在整个工作电压和温度范围内进行读取/编程/擦除。1984字节随机存取存储器(RAM)。安全电路,防止未经授权访问RAM和闪存内容
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MSP430G2452 具有 8KB 闪存、256B SRAM、10 位 ADC、比较器、计时器、SPI/I2C 的 16MHz MCU
商城规格书仅供参考,具体参考小华官网最新资料手册
特性:宽电压:2.6V~5.5V。 低功耗设计:低速模式,空闲模式,掉电模式(可由外部中断或内部掉电唤醒定时器唤醒)。 不需外部复位的单片机,ISP编程时16级复位门槛电压可选,内置高可靠复位电路。 不需外部晶振的单片机,ISP编程时内部时钟从5MHz~35MHz可设 (相当于普通8051:60~420MHz)内部高精度R/C时钟(±0.3%),±1%温飘(-40℃~+85℃),常温下温飘±0.6%(-20℃~+65℃)。 支持掉电唤醒的资源有:INT0/INT1(上升沿/下降沿中断均可), INT2 / INT3 / INT4(下降沿中断);RxD/T0/T1/T2管脚;内部掉电唤醒专用定时器。 16/24/29K/31.5K字节片内Flash程序存储器,擦写次数10万次以上。 大容量片内EEPROM功能,擦写次数10万次以上。 ISP/IAP,在系统可编程/在应用可编程,无需编程器/仿真器
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特性:核心:ARM 32位Cortex-M0 CPU,频率高达48 MHz。存储器:16至32 Kbytes的闪存,4 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。CRC计算单元。复位和电源管理:数字和I/O电源:2.0至3.6 V;模拟电源:V(DDA) = 从V(DD)至3.6 V;上电/掉电复位(POR/PDR);可编程电压检测器(PVD);低功耗模式:睡眠、停止和待机;V(BAT)为RTC和备份寄存器供电。时钟管理:4至32 MHz晶体振荡器;32 kHz用于RTC的振荡器,带校准;内部8 MHz RC,有x6 PLL选项;内部40 kHz RC振荡器。多达39个快速I/O:所有可映射到外部中断向量;多达26个I/O具有5 V容限能力
APM32F091xBxC 的内核是 Arm Cortex-M0+,基于该平台开发成本低、功耗低,可提供优良的计算性能和先进的系统中断响应,兼容所有 Arm 工具和软件。
Risc-V 32bit@400MHZ 1.1V,存储:8MPSRAM;Flash External Spi Nand/Nor Flash,EMMC 4.41封装:QFN68 7x7mm
频率 (MHz):240,FLASH (KB):1024,SRAM (KB):224,CPU:ARM? Cortex?-M4,工作电压(V):2.6~3.6,工作温度:-40°C ~ 105°C,封装:LQFP64
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STM32F100XX 价值系列集成了高性能的 ARM CorteX-M3 32 位 RISC 内核,工作频率为 24 MHz,高速嵌入式存储器(Flash 存储器高达 128 KB 和 SRAM 高达 8 KB),以及一系列增强型外设和 I/O,连接到两个 APB 总线。所有设备提供标准通信接口(最多两个 I2C、两个 SPI、一个 HDMI CEC 和最多三个 USART)、一个 12 位 ADC、两个 12 位 DAC、最多六个通用 16 位定时器和一个高级控制 PWM 定时器。STM32F100XX 低密度和中密度价值系列的工作温度范围为 -40 至 +85℃ 和 -40 至 +105℃,供电电压范围为 2.0 至 3.6 V。一套全面的节能模式允许设计低功耗应用。STM32F100XX 价值系列包括三种不同封装的设备,引脚数从 48 到 100 不等。根据所选设备的不同,包含不同的外设组合。这些特性使 STM32F100XX 价值系列微控制器适用于广泛的应用领域,如应用控制和用户界面、医疗和手持设备、PC 和游戏外设、GPS 平台、工业应用、PLC、逆变器、打印机、扫描仪、报警系统、可视对讲机和 HVAC 系统。
频率 (MHz):240,FLASH (KB):256,SRAM (KB):224,CPU:ARM? Cortex?-M4,工作电压(V):2.6~3.6,工作温度:-40°C ~ 105°C,封装:LQFP-64(10x10)
PIC18(L)FXXK83 是一个全功能的CAN产品系列,可用于汽车和工业应用。该系列产品拥有多种通信外设,如CAN、SPI、两个I2C、两个UART、LIN、DMX和DALI,能够处理智能应用中的各种有线和无线(使用外部模块)通信协议。该系列包括一个带有计算扩展功能的12位ADC(ADC2),用于自动信号分析,以降低应用的复杂性。结合核心独立外设的集成能力,可实现电机控制、电源、传感器、信号以及用户界面应用的功能。
具有 60KB 闪存、2KB SRAM、12 位 ADC、比较器、I2C/SPI/UART 和硬件乘法器的 16MHz MCU
混合信号系统有助于构建强大而可靠的解决方案,因为它们具有成本效益,并且提供更高的性能、低功耗和紧凑的设计。S12 MagniV微控制器系列基于成熟的S12技术提供全面的解决方案。通过将高压(HV)模拟功能集成到标准汽车MCU中,S12 MagniV系列有助于提高制造效率并降低材料清单成本,从而简化系统设计。S12 MagniV MCU将16位S12和S12Z MCU内核与HV模拟外设相结合,提供更简单、更小的解决方案
提供高达 256 KB 闪存、高达 32 KB RAM 以及全套模拟/数字功能,将 Kinetis E 系列扩展到更高性能和更广泛的可扩展性。强大的 TSI 为客户的人机界面 (HMI) 系统提供了高级别的稳定性和准确性。1 Msps ADC 和 FlexTimer 有助于为无刷直流 (BLDC) 电机控制系统构建完美解决方案。
ESP32-S3是一款低功耗的MCU系统级芯片(SoC),支持2.4GHz Wi-Fi和低功耗蓝牙(Bluetooth LE)无线通信。芯片集成了高性能的Xtensa 32位LX7双核处理器、超低功耗协处理器、Wi-Fi基带、蓝牙基带、RF模块以及外设。
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