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特性：核心: -最大CPU频率：高达24 MHz，在CPU频率 ≤ 16 MHz时无等待状态。 -采用哈佛架构和三级流水线的先进STM8内核。 -扩展指令集。 -在24 MHz下最大20 MIPS。 存储器: -程序：高达128 KB Flash，在56℃下经过10k周期后数据保留20年。 -数据：高达2 KB真正的数据EEPROM，耐久性300k周期

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特性：仅需学习35条单字指令。 除程序分支为双周期指令外，其余均为单周期指令。 工作速度：直流-20MHz时钟输入，直流-200ns指令周期。 高达8K×14字的闪存程序存储器，高达368×8字节的数据存储器（RAM），高达256×8字节的EEPROM数据存储器。 引脚与其他28引脚或40/44引脚的PIC16CXXX和PIC16FXXX微控制器兼容。 Timer0：带8位预分频器的8位定时器/计数器

基于Arm® Cortex®-M4F内核的高新能拓展型MCU

特性：核心：ARM Cortex-M4 32位CPU，带有72 MHz FPU、单周期乘法和硬件除法、90 DMIPS（来自CCM）、DSP指令和MPU（内存保护单元）。 VDD、VDA电压范围：2.0V至3.6V。 高达512 Kbytes的闪存，64 Kbytes的SRAM，前32 Kbytes实现硬件奇偶校验。常规增强器：指令和数据总线上16 Kbytes的SRAM，带硬件奇偶校验（CCM）。 用于静态存储器的灵活内存控制器（FSMC），带有四个片选。 CRC计算单元。 上电/掉电复位（POR/PDR）。 可编程电压检测器（PVD）

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中科芯CKS32F4XX系列高性能MCU，基于ARM Cortex-M4打造，包含浮点运算单元（FPU），同时还支持DSP指令以及存储保护（MPU）用来加强应用的安全性。该物料只适用于在消费电子、安防、新能源、智能家居、工控及物联设备。

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CC1312R7 具有 704kB 闪存的 SimpleLink™ Arm® Cortex®-M4F 多协议 Sub-1GHz 无线 MCU

特性：支持 RV32-IMAFDCBP 指令集。 3.57 Coremark/MHz, 1.98 DMIPS/MHz。 DSP 单元，支持 SIMD 和 DSP 指令。 L1 指令缓存和数据缓存各 16KB。 指令本地存储器 ILM 和数据本地存储器 DLM 各 128KB。 共 288KB 片上 SRAM，包括通用内存和 CPU 的本地存储器

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TMS320F280049 具有 100MHz 频率、FPU、TMU、256KB 闪存、CLA、PGA、SDFM 的 C2000™ MCU

是基于 ARM® Cortex®- M4 RISC 内核的 32 位通用微控制器，在增强处理能力、降低功耗和外设配置方面具有最佳性价比。Cortex®- M4 内核配备浮点单元（FPU），可加速单精度浮点数学运算，支持所有 ARM® 单精度指令和数据类型。实现了一套完整的 DSP 指令，以满足对控制和信号处理能力高效、易用融合有需求的数字信号控制市场。还提供了内存保护单元（MPU）和强大的跟踪技术，以增强应用程序安全性和高级调试支持

特性：包含意法半导体最先进的专利技术。 32位Arm Cortex-M7内核，带双精度浮点单元和L1缓存：16KB数据缓存和16KB指令缓存；频率高达480MHz，具备内存保护单元、1027 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）和DSP指令。 128KB闪存。 1MB RAM：192KB TCM RAM（包括64KB ITCM RAM + 128KB用于时间关键程序的DTCM RAM），864KB用户SRAM和4KB备份域SRAM。 双模式Quad-SPI内存接口，运行频率高达133MHz。 灵活的外部内存控制器，高达32位数据总线：同步模式下SRAM、PSRAM、NOR闪存时钟频率高达133MHz；支持SDRAM/LPSDR SDRAM；支持8/16位NAND闪存；具备CRC计算单元。 支持ROP、PC-ROP、主动篡改保护、安全固件升级，具备安全访问模式。 多达168个具有中断能力的I/O端口

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