Clestek · 电子元器件型号库
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X7R电介质的径向引线陶瓷电容器,最高工作温度为125°C。电子工业联盟(EIA)将X7R电介质归类为II类“温度稳定”材料。此类组件为固定陶瓷介质电容器,适用于旁路和去耦应用,或适用于对Q值和电容特性稳定性要求不高的鉴频电路。X7R的电容随时间和电压的变化可预测,且相对于环境温度的变化极小。在 -55°C至 +125°C的温度范围内,电容变化限制在 ±15%。这些器件符合UL标准94V 0规定的阻燃测试要求。
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径向引线多层陶瓷电容器采用X7R电介质,最大工作温度为125°C。X7R电介质被电子工业联盟(EIA)归类为II类“温度稳定”材料。此类组件为固定陶瓷介质电容器,适用于旁路和去耦应用,或用于对Q值和电容特性稳定性要求不高的鉴频电路。X7R的电容随时间和电压的变化可预测,且相对于环境温度的变化极小。在-55°C至+125°C的温度范围内,电容变化限制在±15%。这些器件符合UL标准94V 0规定的阻燃测试要求。
X7R电介质的径向引线陶瓷电容器,最高工作温度为125°C。电子工业联盟(EIA)将X7R电介质归类为II类“温度稳定”材料。此类组件为固定陶瓷介质电容器,适用于旁路和去耦应用,或适用于对Q值和电容特性稳定性要求不高的鉴频电路。X7R的电容随时间和电压的变化可预测,且相对于环境温度的变化极小。在 -55°C至 +125°C的温度范围内,电容变化限制在 ±15%。这些器件符合UL标准94V 0规定的阻燃测试要求。
径向引线多层陶瓷电容器采用X7R电介质,最大工作温度为125°C。X7R电介质被电子工业联盟(EIA)归类为II类“温度稳定”材料。此类组件为固定陶瓷介质电容器,适用于旁路和去耦应用,或用于对Q值和电容特性稳定性要求不高的鉴频电路。X7R的电容随时间和电压的变化可预测,且相对于环境温度的变化极小。在-55°C至+125°C的温度范围内,电容变化限制在±15%。这些器件符合UL标准94V 0规定的阻燃测试要求。
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特性:体积小,容量大,适合自动安装的卷(编)带包装。环氧树脂封装,从而具有优良的防潮性能、机械强度及耐热性。工业生产标准尺寸及多种脚型产品。应用:一般用途品
应用:CG介质:适用于稳定性、可靠性要求较严格的场合,可工作在高频、特高频、甚高频频段。2X1、X5R介质:适用于要求较高的耦合、旁路、滤波电路及10MHz以下的中频场合。2F4介质:广泛应用于要求不高的滤波、旁路等电路场合。
应用:CG介质:适用于稳定性、可靠性要求较严格的场合,可工作在高频、特高频、甚高频频段。2X1、X5R介质:适用于要求较高的耦合、旁路、滤波电路及10MHz以下的中频场合。2F4介质:广泛应用于要求不高的滤波、旁路等电路场合。
应用:CG介质:适用于稳定性、可靠性要求较严格的场合,可工作在高频、特高频、甚高频频段。2X1、X5R介质:适用于要求较高的耦合、旁路、滤波电路及10MHz以下的中频场合。2F4介质:广泛应用于要求不高的滤波、旁路等电路场合。
应用:CG:适用于稳定性、可靠性要求较严格的场合,可很好地工作在高频、特高频、甚高频频段。2X1、X5R:适用于要求较高的耦合、旁路、滤波电路及10MHz以下的中频场合。2F4:广泛应用于要求不高的滤波、旁路等电路场合。
应用:CG介质:适用于稳定性、可靠性要求较严格的场合,可工作在高频、特高频、甚高频频段。2X1、X5R介质:适用于要求较高的耦合、旁路、滤波电路及10MHz以下的中频场合。
应用:1类:谐振回路、高频耦合、高频放大器、低噪声电路、高频旁路以及要求低损耗、电容量高稳定和绝缘电阻高的电路。2类:电源滤波、旁路、低频耦合电路或对损耗和电容量稳定性要求不高的电路
应用:CG:适用于稳定性、可靠性要求较严格的场合,可很好地工作在高频、特高频、甚高频频段。2X1、X5R:适用于要求较高的耦合、旁路、滤波电路及10MHz以下的中频场合。2F4:广泛应用于要求不高的滤波、旁路等电路场合。
特性:容量范围:0.5pF~330μF。电压范围:4V~3KV。外形尺寸:0805~2225。应用:消费电子。汽车电子
应用:要求较高的耦合、旁路、滤波电路。10MHz以下的中频场合
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