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Clestek · 电子元器件型号库
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C0G 介质的径向引线陶瓷电容器,最高工作温度为 125°C。C0G 介质被电子工业联盟 (EIA) 归类为 I 类“稳定”材料,这类组件具有温度补偿特性,适用于谐振电路或需要 Q 值和电容特性稳定性的应用。C0G 电容在时间和电压方面无变化,在 -55°C 至 +125°C 的环境温度下,电容变化限制在 ±30ppm/°C。这些器件符合 UL 标准 94V 0 的阻燃测试要求。
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特性:小尺寸、高容值。低ESR/ESL型,适用于高频电路。符合AEC Q200, ISO7637 2(冲击试验)要求。满足LF(无铅)和HF(无卤)的要求。可采用波峰焊接和焊接 (不可采用回流焊接)。如果在焊接过程中必须使用铜线,则根据要求采用铜线
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多层陶瓷电容器有多种物理尺寸和配置,包括引脚式器件和表面贴装芯片。引脚式包括带有轴向和径向引线的模制和保形涂层部件。基本电容元件在所有样式中相似,称为芯片,由配制的介电材料组成,这些材料被浇铸成薄层,与金属电极交替排列,在层压结构的相对边缘交替暴露。整个结构在高温下烧制,以在小体积内提供高电容值。烧制后,导电端接应用于芯片的两端,以与暴露的电极接触。端接材料和方法根据预期用途而异。
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