Clestek · 电子元器件型号库
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特性:高电容:通过改进陶瓷介电层的薄化工艺和多层叠层技术实现。高可靠性:在规定的环境条件下保持。低剩余电感和出色的频率特性。独特结构:采用TDK为高压应用设计的独特结构,尽管尺寸小但实现了高耐压。额定电压Edc:100V、200V和630V。引线设计:引线形成“扭结”以实现一致的插入高度,并便于在焊接过程中释放气体,显著提高可焊性。编带规格:提供编带规格以实现自动插入,有助于降低板载成本。符合RoHS指令:符合欧盟指令2011/65/EC,除豁免应用外,未使用铅、镉、汞、六价铬以及特定的溴基阻燃剂PBB和PBDE
特性:额定电压为10V至630V,电容范围为1pF至47μF。应用:各种电机的降噪措施。开关电源等的旁路电容和平滑电容
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径向引线陶瓷电容器采用C0G电介质,最大工作温度为125°C。C0G电介质被电子工业联盟(EIA)归类为I类“稳定”材料,具有温度补偿特性,适用于谐振电路或需要Q值和电容特性稳定性的应用。C0G电容在时间和电压方面无变化,在-55°C至+125°C的环境温度下电容变化可忽略不计,电容变化限制在±30ppm/°C。这些器件符合UL标准94V 0的阻燃测试要求。
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C0G 介质的径向引线陶瓷电容器,最高工作温度为 125°C。C0G 介质被电子工业联盟 (EIA) 归类为 I 类“稳定”材料,这类组件具有温度补偿特性,适用于谐振电路或需要 Q 值和电容特性稳定性的应用。C0G 电容在时间和电压方面无变化,在 -55°C 至 +125°C 的环境温度下,电容变化限制在 ±30ppm/°C。这些器件符合 UL 标准 94V 0 的阻燃测试要求。
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