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多层陶瓷电容器有各种物理尺寸和配置,包括有引线器件和表面贴装芯片。有引线样式包括带轴向和径向引线的模制和保形涂层部件。基本电容元件在所有样式中都相似,称为芯片,由制成薄层的配方介电材料组成,金属电极交替暴露在层压结构的相对边缘。整个结构在高温下烧制,以在小体积内提供高电容值。烧制后,导电端接应用于芯片的两端,以与暴露的电极接触,端接材料和方法因预期用途而异。

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应用:CG介质:适用于稳定性、可靠性要求较严格的场合,可工作在高频、特高频、甚高频频段。2X1、X5R介质:适用于要求较高的耦合、旁路、滤波电路及10MHz以下的中频场合。2F4介质:广泛应用于要求不高的滤波、旁路等电路场合。

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应用:CG:适用于稳定性、可靠性要求较严格的场合,可很好地工作在高频、特高频、甚高频频段。2X1、X5R:适用于要求较高的耦合、旁路、滤波电路及10MHz以下的中频场合。2F4:广泛应用于要求不高的滤波、旁路等电路场合。

应用:CG:适用于稳定性、可靠性要求较严格的场合,可很好地工作在高频、特高频、甚高频频段。2X1、X5R:适用于要求较高的耦合、旁路、滤波电路及10MHz以下的中频场合。2F4:广泛应用于要求不高的滤波、旁路等电路场合。

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应用:要求较高的耦合、旁路、滤波电路。10MHz以下的中频场合

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特性:容量范围:0.5pF~330μF。电压范围:4V~3KV。外形尺寸:0805~2225。应用:消费电子。汽车电子

应用:要求较高的耦合、旁路、滤波电路。10MHz以下的中频场合

应用:要求较高的耦合、旁路、滤波电路。10MHz以下的中频场合

特性:不同介质材料(NPO (N)、X7R (B)、Y5U (E)、Y5V (Y))对应不同特性:。 NPO (N):一类电介质,电气性能最稳定,基本上不随温度、电压和时间的改变而改变;容量范围1pF 10nF;温度系数0±30ppm/°C,工作温度 -55°C~+125°C。 X7R (B):二类电介质,电气性能较稳定,在温度、电压与时间改变时性能的变化不显著,能造出比NPO介质容量更大的电容器;容量范围100pF 10μF;温度系数±15%,工作温度 -55°C~+125°C。 应用:NPO (N):适用于对稳定性要求高的电路,如温度补偿电路、高频震荡电路等。X7R (B):适用于隔直、耦合、旁路与对容量稳定性要求不太高的鉴频电路

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