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电容 / 电阻 / 电感型号

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特性:超温度和电压稳定性好。用于需要极致稳定性的场合。径向引脚。陶瓷单层电容器。应用:温度补偿。谐振电路

VISHAY(威世)插件,P=6.4mm
电容 / 电阻 / 电感直插瓷片电容
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特性:超稳定,不受温度和电压影响。用于要求极高稳定性的场合。径向引脚。陶瓷单层电容器。应用:温度补偿。谐振电路

VISHAY(威世)插件
电容 / 电阻 / 电感直插瓷片电容
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特性:低损耗。小尺寸下高电容。高稳定性。径向引线。应用:照明镇流器。开关电源

VISHAY(威世)插件,P=9.5mm
电容 / 电阻 / 电感直插瓷片电容
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高介电常数型瓷介电容器是适用于作旁路、耦合或用在对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中的具有高介电常数的一种电容器。

Dersonic(德尔创)插件,P=5.08mm
电容 / 电阻 / 电感直插瓷片电容
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本规格书适用的瓷片电容器用于电子设备,额定电压不超过直流8kV或最大标称电容量为0.22uF。温度补偿型(1类瓷)电容器专门设计用于低损耗、电容量稳定性高或要求温度系数有明确规定的谐振电路,可在电路中作温度补偿。该类陶瓷介质由标称温度系数(alpha)确定,如NP0、N750、SL等。高介电常数型(2类瓷)电容器适用于旁路、耦合或对损耗和电容量稳定性要求不高的电路。该类陶瓷介质以在类别温度范围内电容量非线性变化来表征,如Y5P、Y5U、Y5V等。可适用于自动化生产线。符合RoHS 2.0、REACH标准,无卤。

Dersonic(德尔创)插件,P=2.54mm
电容 / 电阻 / 电感直插瓷片电容
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特性:宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用:用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路

STE(松田)插件,P=5mm
电容 / 电阻 / 电感直插瓷片电容
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特性:宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用:用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路

STE(松田)插件,P=5mm
电容 / 电阻 / 电感直插瓷片电容
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特性:宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用:用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路

STE(松田)插件,P=5mm
电容 / 电阻 / 电感直插瓷片电容
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特性:电容器容量范围从100pF到100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用:高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

STE(松田)插件,P=5mm
电容 / 电阻 / 电感直插瓷片电容
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特性:宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用:用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路

STE(松田)插件,P=5mm
电容 / 电阻 / 电感直插瓷片电容
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特性:电容器容量范围从 100pF 到 100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用:高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

STE(松田)插件,P=5mm
电容 / 电阻 / 电感直插瓷片电容
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特性:宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用:用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路

STE(松田)插件,P=5mm
电容 / 电阻 / 电感直插瓷片电容
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特性:低损耗因数,在高频和高压应用中降低自热温度。额定电压可达6kV。引线和内部焊接材料无铅,符合RoHS指令。与无卤外部树脂涂层兼容。应用:电源的缓冲电路保护

TDK插件,P=5mm
电容 / 电阻 / 电感直插瓷片电容
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特性:宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用:用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路

STE(松田)插件,P=7.5mm
电容 / 电阻 / 电感直插瓷片电容
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特性:电容器容量范围从 100pF 到 100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用:高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

STE(松田)插件,P=7.5mm
电容 / 电阻 / 电感直插瓷片电容
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特性:电容器容量范围从100pF到100000pF。工作温度: -25°C 85°C。储存温度: 15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用:高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

STE(松田)插件,P=5mm
电容 / 电阻 / 电感直插瓷片电容
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特性:宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用:用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路

STE(松田)插件,P=5mm
电容 / 电阻 / 电感直插瓷片电容
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特性:电容器容量范围从 100pF 到 100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用:高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

STE(松田)插件,P=7.5mm
电容 / 电阻 / 电感直插瓷片电容
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特性:宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用:用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路

STE(松田)插件,P=7.5mm
电容 / 电阻 / 电感直插瓷片电容
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特性:宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用:用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路

STE(松田)插件,P=7.5mm
电容 / 电阻 / 电感直插瓷片电容
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