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特性:宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用:用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路

特性:宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用:用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路

特性:电容器容量范围从 100pF 到 100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用:高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

特性:低损耗因数,在高频和高压应用中降低自热温度。额定电压可达6kV。引线和内部焊接材料无铅,符合RoHS指令。与无卤外部树脂涂层兼容。应用:电源的缓冲电路保护

特性:宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用:用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路

1类温度补偿型瓷介电容器的电容量随温度改变呈线性变化,适用于调谐回路和需要补偿温度效应的电路中

特性:电容器容量范围从100pF到100000pF。工作温度: -25°C 85°C。储存温度: 15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用:高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

特性:宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用:用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路

特性:这些产品应符合RoHS指令,因为引线和内部焊接材料不含铅(Pb)。与无卤外部树脂涂层兼容。应用:用于直流镇流器

特性:低损耗因数,在高频和高压应用中降低自热温度。额定电压可达6kV。引线和内部焊接材料无铅,符合RoHS指令。与无卤外部树脂涂层兼容。应用:电源的缓冲电路保护

特性:电容器容量范围从 100pF 到 100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用:高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

特性:电容器容量范围从 100pF 到 100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用:高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

特性:电容器容量范围从 100pF 到 100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用:高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

特性:高可靠性。低损耗。小尺寸大容量。弯脚引线。应用:开关电源。高频镇流器

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电容器由陶瓷圆盘制成,圆盘两侧镀银。连接引线由镀锡铜或镀锡铜包钢制成,直径为 0.020" (0.51 mm) 或 0.025" (0.64 mm)。电容器可以提供径向弯折或直引线,引线间距为 0.250" (6.35 mm) 或 0.375" (9.5 mm)。标准公差为 ±20%。涂层由树脂涂层或符合 “UL 94 V 0” 的阻燃环氧树脂制成。电容范围为 10 pF 至 0.1 μF,额定电压为 1000 VDC。引线之间的介电强度:元件测试为 2500 VDC,持续 2 s。陶瓷介质为 C0G、U2J(1 类)、X5F、X7R、Y5U、Z5U(2 类)。

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特性:适用于额定电压不超过直流8kV或最大标称电容量为0.22uF的电子设备。温度补偿型(1类瓷)电容器专门设计用于低损耗、电容量稳定性高或要求温度系数有明确规定的谐振电路,可在电路中作温度补偿。高介电常数型(2类瓷)电容器适用于旁路、耦合或对损耗和电容量稳定性要求不高的电路。可适用于自动化生产线。符合RoHS 2.0、REACH标准,无卤

适用于额定电压不超过直流10kV或最大标称电容量为0.22uF的电子设备。温度补偿型(1类瓷)电容器专门设计,适用于低损耗、电容量稳定性高或要求温度系数有明确规定的谐振电路,可在电路中作温度补偿。高介电常数型(2类瓷)电容器适用于旁路、耦合或对损耗和电容量稳定性要求不高的电路。可适用于自动化生产线。符合RoHS 2.0、REACH标准,无卤