Clestek · 电子元器件型号库
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陶瓷电容器使用陶瓷作为介质,铜线或镀锡钢线作为导线,(蓝色)环氧树脂或(黄色)酚醛(符合UL94 V0)树脂包封;圆片型,导线单向引出。陶瓷电容器是以被银瓷片作为芯片,镀锡铜包钢线(CP线)为引线、(蓝色)环氧树脂或(黄色)酚醛(符合UL94 V0)树脂包封。CC包含温度补偿型电容器、高介电常数型电容器与半导体型电容器三种。
适用于额定电压不超过直流10kV或最大标称电容量为0.22uF的电子设备。温度补偿型(1类瓷)电容器专门设计用于低损耗、电容量稳定性高或要求温度系数有明确规定的谐振电路,可在电路中作温度补偿。高介电常数型(2类瓷)电容器适用于旁路、耦合或对损耗和电容量稳定性要求不高的电路。可适用于自动化生产线,符合RoHS 2.0、REACH标准,无卤。
特性:高频特性好。损耗小发热低。介质耐压强度高。有铅,但符合ROHS标准豁免条款。应用:平板电视。监控电路
适用于额定电压不超过直流8kV或最大标称电容量为0.22uF的电子设备。温度补偿(1类)陶瓷电容器,专为谐振电路应用而设计,适用于低损耗和高电容稳定性至关重要的场合,或需要精确定义温度系数的场合,例如用于补偿电路中的温度影响。可适用于自动化生产线。
高压旁路和藕合电路
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特性:适用于额定电压不超过直流8kV或最大标称电容量为0.22uF的电子设备。温度补偿型(1类瓷)电容器专门设计并用于低损耗、电容量稳定性高或要求温度系数有明确规定的谐振电路,可在电路中作温度补偿。高介电常数型(2类瓷)电容器适用于作旁路、耦合或对损耗和电容量稳定性要求不高的电路。可适用于自动化生产线。符合RoHS 2.0、REACH标准,无卤
特性:宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用:用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路
特性:电容器容量范围从100pF到100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用:高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路
适用于额定电压不超过直流10kV或最大标称电容量为0.22uF的电子设备。温度补偿型(1类瓷)电容器专门设计用于低损耗、电容量稳定性高或要求温度系数有明确规定的谐振电路,可在电路中作温度补偿。高介电常数型(2类瓷)电容器适用于旁路、耦合或对损耗和电容量稳定性要求不高的电路。可适用于自动化生产线,符合RoHS 2.0、REACH标准,无卤。
温度补偿型(1类瓷)电容器是专门设计并用于低损耗、电容量稳定性高或要求温度系数有明确规定的谐振电路中的一种电容器,例如,在电路中作温度补偿之用。高介电常数型(2类瓷)电容器是适用于作旁路、耦合或用在对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中的具有高介电常数的一种电容器。可适用于自动化生产线。符合RoHS 2.0、REACH标准,无卤。
适用于额定电压不超过直流8kV或最大标称电容量为0.22uF的电子设备。温度补偿(1类)陶瓷电容器,专为谐振电路应用而设计,适用于低损耗和高电容稳定性至关重要的场合,或需要精确定义温度系数的场合,例如用于补偿电路中的温度影响。可适用于自动化生产线。
适用于额定电压不超过直流8kV或最大标称电容量为0.22uF的电子设备。温度补偿(1类)陶瓷电容器,专为谐振电路应用而设计,适用于需要低损耗和高电容稳定性的场合,或需要精确定义温度系数的场合,例如用于补偿电路中的温度影响。可适用于自动化生产线。
适用于额定电压不超过直流10kV或最大标称电容量为0.22uF的电子设备;温度补偿型(1类瓷)电容器专门设计用于低损耗、电容量稳定性高或要求温度系数有明确规定的谐振电路,作温度补偿之用;高介电常数型(2类瓷)电容器适用于作旁路、耦合或对损耗和电容量稳定性要求不高的电路;可适用于自动化生产线;符合RoHS 2.0、REACH标准,无卤。
特性:宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用:用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路
适用于额定电压不超过直流10kV或最大标称电容量为0.22μF的电子设备。温度补偿型(1类瓷)电容器专门设计用于低损耗、电容量稳定性高或要求温度系数有明确规定的谐振电路,可在电路中作温度补偿。高介电常数型(2类瓷)电容器适用于作旁路、耦合或对损耗和电容量稳定性要求不高的电路。可适用于自动化生产线,符合RoHS 2.0、REACH标准,无卤。
高压旁路和藕合电路
本规格书适用的瓷片电容器用于电子设备,额定电压不超过直流8kV或最大标称电容量为0.22uF。温度补偿型(1类瓷)电容器专门设计用于低损耗、电容量稳定性高或要求温度系数有明确规定的谐振电路,可在电路中作温度补偿。该类陶瓷介质由标称温度系数(alpha)确定,如NPO、N750、SL等。高介电常数型(2类瓷)电容器适用于旁路、耦合或对损耗和电容量稳定性要求不高的电路,具有高介电常数。该类陶瓷介质以在类别温度范围内电容量非线性变化来表征,如Y5P、Y5U、Y5V等。可适用于自动化生产线。符合RoHS 2.0、REACH标准,无卤。
特性:电容器容量范围从 100pF 到 100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用:高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路
特性:电容器容量范围从 100pF 到 100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用:高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路
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