特性:可适用于自动化生产线。符合RoHS 2.0、REACH标准,无卤
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适用于额定电压不超过直流 8kV 或最大标称电容量为 0.22uF 的电子设备用瓷片电容器。温度补偿型(1 类瓷)电容器专门设计并适用于低损耗、电容量稳定性高或要求温度系数有明确规定的谐振电路,例如在电路中作温度补偿。该类陶瓷介质由标称温度系数(alpha)确定,如 NPO、N750、SL 等。高介电常数型(2 类瓷)电容器适用于旁路、耦合或对损耗和电容量稳定性要求不高的电路,具有高介电常数。该类陶瓷介质以在类别温度范围内电容量非线性变化来表征,如 Y5P、Y5U、Y5V 等。可适用于自动化生产线。符合 RoHS 2.0、REACH 标准,无卤。
特性:宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用:用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路
50VDC;220pF;±5%;SL ;D=5.5max;CP线 0.55mm;12.7mm编带;内弯脚;引线间距5.0mm
特性:容量范围:100pF至10000pF。工作温度:-40°C至125°C。存储温度:-10°C至40°C。应用:旁路电路。耦合电路
C/C 472M/2KV/P=7.5/L=3.5 Y5V 7090
特性:电容器容量范围从100pF到100000pF。工作温度: -25°C 85°C。储存温度: 15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用:高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路
特性:电容器容量范围从 100pF 到 100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用:高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路
特性:符合RoHS指令,引线和内部焊接材料无铅。与无卤外部树脂涂层兼容。应用:DC镇流器
特性:低损耗因数,在高频和高压应用中降低自热温度。额定电压可达6kV。引线和内部焊接材料无铅,符合RoHS指令。与无卤外部树脂涂层兼容。应用:电源的缓冲电路保护
特性:低损耗因数,在高频和高压应用中降低自热温度。6kV系列增加了3kV系列的额定电压。由于引线和内部焊接材料无铅,这些产品符合RoHS指令。与无卤外部树脂涂层兼容。应用:用于电源的缓冲电路保护
特性:电容器容量范围从 100pF 到 100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用:高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路
特性:容量范围:100pF至10000pF。工作温度:-40°C至125°C。存储温度:-10°C至40°C。应用:高压旁路和耦合电路。电视接收机的行扫描电路
特性:电容器容量范围从 100pF 到 100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用:高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路
特性:低损耗因数,在高频和高压应用中降低自热温度。额定电压可达6kV。引线和内部焊接材料无铅,符合RoHS指令。与无卤外部树脂涂层兼容。应用:电源的缓冲电路保护
特性:容量范围:100pF至10000pF。工作温度:-40°C至125°C。存储温度:-10°C至40°C。应用:高压旁路和耦合电路。电视接收机的行扫描电路
特性:电容器容量范围从 100pF 到 100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用:高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路
特性:电容器容量范围从 100pF 到 100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用:高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路
特性:电容器容量范围从 100pF 到 100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用:高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路
特性:电容器容量范围从 100pF 到 100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用:高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路
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