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特性:小尺寸,高电容。高可靠性。卷边和直引脚样式。电容由通用多层陶瓷电容器组成。引脚线为0.5mm,由100%镀锡铜包钢丝制成。电容可提供直引脚或弯引脚,引脚间距为2.5mm和5.0mm。应用:温度补偿。耦合和去耦

应用:要求较高的耦合、旁路、滤波电路。10MHz以下的中频场合

特性:高电容,小尺寸。高可靠性。轴向安装方式。应用:温度补偿。耦合和去耦

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应用:要求较高的耦合、旁路、滤波电路。10MHz以下的中频场合

应用:CG:适用于稳定性、可靠性要求较严格的场合,可很好地工作在高频、特高频、甚高频频段。2X1、X5R:适用于要求较高的耦合、旁路、滤波电路及10MHz以下的中频场合。2F4:广泛应用于要求不高的滤波、旁路等电路场合。

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特性:小尺寸,高电容。高可靠性。卷边和直引脚样式。电容由通用多层陶瓷电容器组成。引脚线为0.5mm,由100%镀锡铜包钢丝制成。电容可提供直引脚或弯引脚,引脚间距为2.5mm和5.0mm。应用:温度补偿。耦合和去耦

径向引线多层陶瓷电容器采用X7R电介质,最大工作温度为125°C。X7R电介质被电子工业联盟(EIA)归类为II类“温度稳定”材料。此类组件为固定陶瓷介质电容器,适用于旁路和去耦应用,或用于对Q值和电容特性稳定性要求不高的鉴频电路。X7R的电容随时间和电压的变化可预测,且相对于环境温度的变化极小。在-55°C至+125°C的温度范围内,电容变化限制在±15%。这些器件符合UL标准94V 0规定的阻燃测试要求。

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应用:要求较高的耦合、旁路、滤波电路。10MHz以下的中频场合

C0G 介质的径向引线陶瓷电容器,最高工作温度为 125°C。C0G 介质被电子工业联盟 (EIA) 归类为 I 类“稳定”材料,这类组件具有温度补偿特性,适用于谐振电路或需要 Q 值和电容特性稳定性的应用。C0G 电容在时间和电压方面无变化,在 -55°C 至 +125°C 的环境温度下,电容变化限制在 ±30ppm/°C。这些器件符合 UL 标准 94V 0 的阻燃测试要求。

C0G 介质的径向引线陶瓷电容器,最高工作温度为 125°C。C0G 介质被电子工业联盟 (EIA) 归类为 I 类“稳定”材料,这类组件具有温度补偿特性,适用于谐振电路或需要 Q 值和电容特性稳定性的应用。C0G 电容在时间和电压方面无变化,在 -55°C 至 +125°C 的环境温度下,电容变化限制在 ±30ppm/°C。这些器件符合 UL 标准 94V 0 的阻燃测试要求。

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特性:AEC Q200合格,可提供生产件批准程序(PPAP)。采用湿法工艺的高可靠性多层陶瓷电容器(MLCC)插入件。最高工作温度可达160°C。小尺寸大容量。轴向安装方式。符合报废电子电气设备指令(ELV)。应用:汽车

X7R电介质的径向引线陶瓷电容器,最高工作温度为125°C。电子工业联盟(EIA)将X7R电介质归类为II类“温度稳定”材料。此类组件为固定陶瓷介质电容器,适用于旁路和去耦应用,或适用于对Q值和电容特性稳定性要求不高的鉴频电路。X7R的电容随时间和电压的变化可预测,且相对于环境温度的变化极小。在 -55°C至 +125°C的温度范围内,电容变化限制在 ±15%。这些器件符合UL标准94V 0规定的阻燃测试要求。

特性:小尺寸,高电容。高可靠性。压接和直引脚样式。应用:温度补偿。耦合和去耦