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主流Arm Cortex-M0+ 32位MCU，高达256KB Flash，144KB RAM，6x USART，定时器，ADC，DAC，通讯。 I/F，1.7-3.6V

TMS320F28027 具有 60MHz 频率、64KB 闪存的 C2000™ MCU

特性：核心：ARM 32位Cortex-M4 CPU（最高72 MHz），单周期乘法和硬件除法，带FPU（浮点单元）和MPU（内存保护单元）的DSP指令，1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）。内存：64至256 Kbytes的闪存，32 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。CRC计算单元。复位和电源管理：电压范围2.0至3.6 V，上电/掉电复位（POR/PDR），可编程电压检测器（PVD），低功耗模式：睡眠、停止、待机，VBAT为RTC和备份寄存器供电。时钟管理：4至32 MHz晶体振荡器，32 kHz带校准的RTC振荡器，内部8 MHz RC（带x16 PLL选项），内部40 kHz振荡器。多达84个快速I/O，所有可映射到外部中断向量，多达45个5 V耐压I/O

是一款基于AVR增强型RISC架构的低功耗CMOS 8位微控制器。通过在单个时钟周期内执行强大的指令，该器件实现了接近每MHz 1 MIPS的吞吐量，使系统设计人员能够优化功耗与处理速度。AVR内核将丰富的指令集与32个通用工作寄存器相结合。所有32个寄存器都直接连接到算术逻辑单元(ALU)，允许在一个时钟周期内执行的一条指令中访问两个独立的寄存器。由此产生的架构代码效率更高，同时实现的吞吐量比传统的CISC微控制器快达十倍。

特性：采用FlexPowerControl实现超低功耗。电源电压范围为1.71V至3.6V。温度范围为 -40℃至85/105/125℃。VBAT模式下电流为200nA，为RTC和32x32位备份寄存器供电。关机模式电流为8nA（5个唤醒引脚）。待机模式电流为28nA（5个唤醒引脚）。带RTC的待机模式电流为280nA。停止2模式电流为1.0μA，带RTC时为1.28μA

主流Arm Cortex-M0+ 32位MCU，高达512KB Flash，144KB RAM，6x USART，定时器，ADC，DAC，通讯。 I/F，1.7-3.6V

特性：核心：ARM 32位Cortex-M3 CPU，带MPU，最高频率72 MHz，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持单周期乘法和硬件除法。 内存：768 KB至1 MB的闪存，96 KB的SRAM，带有4个片选的灵活静态内存控制器，支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND内存，LCD并行接口，8080/6800模式。 时钟、复位和电源管理：2.0至3.6 V应用电源和I/O，POR、PDR和可编程电压检测器（PVD），4至16 MHz晶体振荡器，内部8 MHz工厂校准RC，内部40 kHz带校准的RC，32 kHz带校准的RTC振荡器。 低功耗：睡眠、停止和待机模式，VBAT为RTC和备份寄存器供电。 3个12位、1 μs A/D转换器（最多21个通道），转换范围：0至3.6 V，三重采样和保持能力，温度传感器。 2个12位D/A转换器

特性：内核：带有FPU的32位Cortex-M4 CPU、在Flash存储器中实现零等待状态运行性能的自适应实时加速器（ART加速器）、主频高达180MHz，MPU，能够实现高达225DMIPS/1.25DMIPS/MHz（Dhrystone2.1）的性能，具有DSP指令集。 高达2MB Flash，组织为两个区，可读写同步。 高达256 + 4KB的SRAM，包括64-KB的CCM（内核耦合存储器）数据RAM。 具有高达32位数据总线的灵活外部存储控制器：SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR、SDRAM、Compact Flash/NOR/NAND存储器。 LCD并行接口，兼容8080/8600模式。 LCD-TFT控制器有高达XGA的分辨率，具有专用的Chrom-ART Accelerator，用于增强的图形内容创建（DMA2D）。 1.7V到3.6V供电和I/O。 POR、PDR、PVD和BOR

特性：核心:ARM 32 位 Cortex M4 CPU 带 FPU,自适应实时加速器(ART AcceleratorTM)允许从闪存零等待状态执行,频率高达 180 MHz,具备 MPU、225 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)和 DSP 指令。存储器:512 kB 闪存、128 KB SRAM,灵活的外部存储器控制器,支持高达 16 位数据总线,可连接 SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、Flash NOR/NAND 存储器,具备双模式 Quad SPI 接口。LCD 并行接口,支持 8080/6800 模式。时钟、复位和电源管理:1.7 V 至 3.6 V 应用电源和 I/O,具备 POR、PDR、PVD 和 BOR,4 至 26 MHz 晶体振荡器,内部 16 MHz 工厂校准 RC(精度 1%),32 kHz 用于 RTC 的振荡器且可校准,内部 32 kHz RC 且可校准。

特性：32-bit Arm Cortex-M7核心，带双精度FPU和L1缓存：16KB数据缓存和16KB指令缓存，允许从256位嵌入式闪存中单次访问填充一个缓存行；频率高达400MHz，具备MPU、856 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）和DSP指令。 高达2MB的闪存，支持读时写。 1MB的RAM：192KB的TCM RAM（包括64KB的ITCM RAM + 128KB的DTCM RAM用于时间关键程序），864KB的用户SRAM，以及4KB备份域中的SRAM。 双模式Quad-SPI内存接口，运行频率高达133MHz。 灵活的外部内存控制器，具有高达32位数据总线：SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND闪存，同步模式下时钟频率高达133MHz。 CRC计算单元。 ROP、PC-ROP、主动篡改保护。 多达168个具有中断能力的I/O端口

TM4C1294NCPDT 具有 120MHZ 频率、1MB 闪存、256KB RAM、USB 和 ENET MAC+PHY、基于 Arm Cortex-M4F 的 32 位 MCU

TMS320F28377D 具有 800MIPS、2 个 CPU、2 个 CLA、FPU、TMU、1024KB 闪存、EMIF、16 位 ADC 的 C2000™ MCU

适用于需要高度集成和低功耗的嵌入式应用。ARM Cortex-M3是下一代内核，在相同时钟速率下比ARM7具有更好的性能，还具备现代化调试功能和更高级别的支持块集成。CPU采用3级流水线和哈佛架构，有独立的本地指令和数据总线，以及一条性能稍低的外设总线，还包括一个支持投机分支的内部预取单元。添加了专门的闪存加速器，以在从闪存执行代码时实现最佳性能，CPU频率最高可达120 MHz

PY32F002B系列微控制器采用高性能的32位ARM Cortex-M0+内核，宽电压工作范围的MCU。嵌入24Kbytes Flash和3Kbytes SRAM存储器，最高工作频率24MHz。包含多种不同封装类型多款产品。

MCU@@PY32F002A 系列微控制器采用高性能的 32 位 ARM? Cortex?-M0+内核，宽电压工作范围的 MCU。嵌入高 达 20Kbytes flash 和 3Kbytes SRAM 存储器。包含多种不同封装类型多款产品。芯片集 成多路 I2C、SPI、USART 等通讯外设，1 路 12bit ADC，多个定时器。提供 sleep 和 stop 低功耗工作模式，可以满足不同的低功耗应用。

MCU@@PY32F002A 系列微控制器采用高性能的 32 位 ARM? Cortex?-M0+内核，宽电压工作范围的 MCU。嵌入高 达 20Kbytes flash 和 3Kbytes SRAM 存储器。包含多种不同封装类型多款产品。芯片集 成多路 I2C、SPI、USART 等通讯外设，1 路 12bit ADC，多个定时器。提供 sleep 和 stop 低功耗工作模式，可以满足不同的低功耗应用。

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