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多版本随机发货，不可指定 2V~3.6V CPU位数：32-Bit CPU内核：ARM Cortex-M3主频（MAX)：73MHz ROM类型：FLASH 128K

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32位MCU Arm Cortex -M3内核，最高 120MHz 工作频率，Flash：512KB,SRAM：128KB,VDD范围：2.0～3.6V,GPIOs：51,封装：LQFP64，APM32F103RETE升级型号，兼容STM32F103RET6。 存储器

特性：核心：ARM 32位Cortex-M0 CPU，频率高达48 MHz。64至128 Kbytes的闪存。16 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。CRC计算单元。复位和电源管理。数字和I/O电源：VDD = 2.0 V至3.6 V

是基于ARM Cortex-M0内核的低成本微控制器系列，可用于现有的8位/16位的应用，为用户提供高性能、低功耗、易于使用的指令集和存储器地址空间，以及比现有8位/16位架构更精简的代码量。工作频率高达50MHz。外设包括：高达32kB的Flash、8kB的数据存储器、一个Fast-mode Plus的I²C总线接口、一个RS-485/EIA-485通用异步收发器（UART)、2个支持SSP功能的SPI接口、4个通用定时器，一个10位ADC，以及多达42个通用I/O引脚。

特性：核心：带有FPU的32位Arm Cortex-M4 CPU（最高72 MHz），单周期乘法和硬件除法DSP指令。 存储器：高达64 KB的闪存；高达12 KB带硬件奇偶校验的SRAM；常规增强器：指令和数据总线上4 KB带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。 复位和电源管理：VDD、VDDA电压范围2.0至3.6 V；上电/掉电复位（POR/PDR）；可编程电压检测器（PVD）；低功耗模式：睡眠、停止、待机；为RTC和备份寄存器提供VBAT电源。 时钟管理：4至32 MHz晶体振荡器；用于RTC的32 kHz振荡器（带校准）；内部8 MHz RC（PLL选项下最高64 MHz）；内部40 kHz振荡器。 多达51个快速I/O端口，均可映射到外部中断向量，部分可承受5 V电压。 互连矩阵。 7通道DMA控制器

特性：核心：32位Cortex-M4 CPU带FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）允许从闪存零等待状态执行，频率高达170 MHz，213 DMIPS，具备MPU和DSP指令。 工作条件：VDD、VDDA电压范围为1.71 V至3.6 V。 数学硬件加速器：CORDIC用于三角函数加速；FMAC：滤波数学加速器。

MSP430F5438A 具有 256KB 闪存、16KB SRAM、12 位 ADC、DMA、UART/SPI/I2C、计时器和硬件乘法器的 25MHz MCU

特性：超低功耗平台。1.65 V至3.6 V电源供电。40°C至105°C温度范围。290 nA待机模式（3个唤醒引脚）。1.11 μA待机模式 + RTC。560 nA停止模式（16个唤醒线）

特性：核心：ARM Cortex-M4 32 位 CPU 带 FPU（最高 72 MHz），单周期乘法和硬件除法，90 DMIPS（来自 CCM），DSP 指令和 MPU（内存保护单元）。 工作条件：VDD、VDDA 电压范围：2.0V 至 3.6V。 存储器：128 至 256 Kbytes 的闪存；高达 40 Kbytes 的 SRAM，前 16 Kbytes 实现硬件奇偶校验；8 Kbytes 的 SRAM 在指令和数据总线上，带硬件奇偶校验（CCM）。 CRC 计算单元。 复位和电源管理：上电/掉电复位（POR/PDR）；可编程电压检测器（PVD）；低功耗模式：睡眠、停止和待机；RTC 和备份寄存器的 VBAT 电源。 时钟管理：4 至 32 MHz 晶体振荡器；用于 RTC 的 32 kHz 振荡器，带校准；内部 8 MHz RC，有 x 16 PLL 选项；内部 40 kHz 振荡器。 多达 87 个快速 I/O：所有可映射到外部中断向量；多个 5V 耐压。 互连矩阵

特性：超低功耗平台: 1.65V 至 3.6V 电源。-40°C 至 85°C/105°C 温度范围。0.3μA 待机模式（3 个唤醒引脚）。0.9μA 待机模式 + RTC。0.57μA 停止模式（16 个唤醒线）。1.2μA 停止模式 + RTC。9μA 低功耗运行模式。214μA/MHz 运行模式

特性：10 位 ADC（仅 C8051F310/1/2/3/6）：高达 200 ksps。多达 21、17 或 13 个外部单端或差分输入。VREF 来自外部引脚或 VDD。内置温度传感器。外部转换启动输入。 比较器：可编程迟滞和响应时间

特性：动态效率线，具备BAM（批量采集模式）。 核心：带有FPU的ARM 32位Cortex-M4 CPU，自适应实时加速器（ART AcceleratorTM）允许从闪存存储器零等待状态执行，频率高达100 MHz，具备内存保护单元，125 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）和DSP指令。 存储器：高达512 Kbytes的闪存存储器，128 Kbytes的SRAM。

特性：核心：ARM 32位Cortex-M4 CPU带FPU，自适应实时加速器（ART AcceleratorTM）允许从闪存执行零等待状态，频率高达84 MHz，具备内存保护单元，105 DMIPS / 1.25 DMiPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持DSP指令。 存储器：高达256 Kbytes的闪存；高达64 Kbytes的SRAM。 时钟、复位和电源管理：1.7V（PDR关）或1.8 V（PDR开）至3.6V的应用电源和I/O；POR、PDR、PVD和BOR；4至26 MHz晶体振荡器；内部16 MHz工厂校准RC；32 kHz带校准的RTC振荡器；内部带校准的32 kHz RC。

特性：10位ADC：高达200 ksps。内置单端和差分模式的模拟多路复用器。VREF来自外部引脚、内部参考或VDD。内置温度传感器。外部转换启动输入选项。 两个比较器、内部电压参考、欠压检测器和POR电路

特性：包含意法半导体最先进的专利技术。 核心：具有浮点单元的32位Arm Cortex-M4 CPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）可实现从闪存零等待状态执行，频率高达170 MHz，213 DMIPS，具备内存保护单元（MPU）和DSP指令。 工作条件：VDD、VDDA电压范围为1.71 V至3.6 V。 数学硬件加速器：用于三角函数加速的CORDIC，滤波器数学加速器FMAC。

TMS320F28069 具有 90MHz 频率、FPU、VCU、256KB 闪存、CLA 的 C2000™ MCU

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特性：核心：ARM 32 位 Cortex-M4 CPU 带 FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）允许从闪存零等待状态执行，频率高达 180 MHz，具备 MPU、225 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）和 DSP 指令。 存储器：高达 2 MB 的闪存，分为两个存储体，支持读写同时进行；高达 256 + 4 KB 的 SRAM，包括 64 KB 的 CCM（核心耦合内存）数据 RAM；灵活的外部存储器控制器，具备高达 32 位数据总线，支持 SRAM、PSRAM、SDRAM、Compact Flash/NOR/NAND 存储器。 LCD 并行接口，支持 8080/6800 模式。

带 DP-FPU 的高性能 DSP、带 512 KB 闪存、564 KB RAM、550 MHz CPU、L1 缓存、外部存储器接口、外设子集的 Arm Cortex-M7 MCU