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超低功耗、即时启动、非易失性PLD，有六种密度从256到6864个查找表（LUT）的器件。除了基于LUT的低成本可编程逻辑外，这些器件还具有嵌入式块RAM（EBR）、分布式RAM、用户闪存（UFM）、锁相环（PLL）、预设计源同步I/O支持、包括双启动功能的高级配置支持，以及常用功能的硬化版本，如SPI控制器、I²C控制器和定时器/计数器。这些特性使这些器件可用于低成本、高产量的消费和系统应用。这些器件采用65纳米非易失性低功耗工艺设计。器件架构具有可编程低摆幅差分I/O和动态关闭I/O组、片上PLL和振荡器等特性，有助于管理静态和动态功耗，使该系列所有成员的静态功耗较低。MachXO2器件有两种版本——超低功耗（ZE）和高性能（HC和HE）器件

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超低功耗、即时启动、非易失性PLD，有六种密度从256到6864个查找表（LUT）的器件。除了基于LUT的低成本可编程逻辑外，这些器件还具有嵌入式块RAM（EBR）、分布式RAM、用户闪存（UFM）、锁相环（PLL）、预设计源同步I/O支持、包括双启动功能的高级配置支持，以及常用功能的硬化版本，如SPI控制器、I²C控制器和定时器/计数器。这些特性使这些器件可用于低成本、高产量的消费和系统应用。这些器件采用65纳米非易失性低功耗工艺设计。器件架构具有可编程低摆幅差分I/O和动态关闭I/O组、片上PLL和振荡器等特性，有助于管理静态和动态功耗，使该系列所有成员的静态功耗较低。MachXO2器件有两种版本——超低功耗（ZE）和高性能（HC和HE）器件

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超低功耗、即时启动、非易失性PLD，有六种密度从256到6864个查找表（LUT）的器件。除了基于LUT的低成本可编程逻辑外，这些器件还具有嵌入式块RAM（EBR）、分布式RAM、用户闪存（UFM）、锁相环（PLL）、预设计源同步I/O支持、包括双启动功能的高级配置支持，以及常用功能的硬化版本，如SPI控制器、I²C控制器和定时器/计数器。这些特性使这些器件可用于低成本、高产量的消费和系统应用。这些器件采用65纳米非易失性低功耗工艺设计。器件架构具有可编程低摆幅差分I/O和动态关闭I/O组、片上PLL和振荡器等特性，有助于管理静态和动态功耗，使该系列所有成员的静态功耗较低。MachXO2器件有两种版本——超低功耗（ZE）和高性能（HC和HE）器件

特性：最低功耗FPGA。 设计安全特性。 增加系统集成。 逻辑单元和逻辑阵列块

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特性：解决方案。 灵活架构。 先进封装。 预设计源同步 I/O。 高性能、灵活 I/O 缓冲器。 灵活片上时钟。 非易失性、多次可编程。 TransFR 重新配置。 增强系统级支持。 低成本迁移路径

7系列FPGA包括四个FPGA系列，可满足从低成本、小尺寸、对成本敏感的大批量应用到超高端连接带宽、逻辑容量和信号处理能力的最苛刻高性能应用的系统要求。这些系列包括Spartan-7、Artix-7、Kintex-7和Virtex-7。Spartan-7针对低成本、低功耗和高I/O性能进行了优化；Artix-7针对需要串行收发器和高DSP及逻辑吞吐量的低功耗应用进行了优化；Kintex-7针对最佳性价比进行了优化；Virtex-7针对最高系统性能和容量进行了优化。7系列FPGA基于先进的高性能、低功耗（HPL）、28nm、高k金属栅极（HKMG）工艺技术构建，在提供2.9Tb/s的I/O带宽、200万个逻辑单元容量和5.3TMAC/s DSP的同时，比上一代设备功耗降低50%，可作为ASSP和ASIC的完全可编程替代方案

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第三代闪存FPGA，提供超越前代的性能、密度和功能。非易失性闪存技术使其成为安全、低功耗、即时启动的单芯片解决方案。可重新编程，以ASIC级单位成本提供上市时间优势。支持使用现有ASIC或FPGA设计流程和工具创建高密度系统。提供1 kbit片上可重新编程非易失性FlashROM存储和基于集成锁相环（PLL）的时钟调节电路。A3P030器件无PLL或RAM支持。拥有高达100万个系统门，支持高达144 kbit的真双端口SRAM和高达300个用户I/O。支持ARM Cortex-M1处理器，支持ARM的器件不支持AES解密。

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