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第三代闪存FPGA提供超越ProASICPLUS系列的性能、密度和特性。非易失性闪存技术使其成为安全、低功耗、即时启动的单芯片解决方案，可重新编程，能以ASIC级单位成本缩短上市时间，支持使用现有ASIC或FPGA设计流程和工具创建高密度系统。提供1 kbit片上可重新编程非易失性FlashROM存储以及基于集成锁相环（PLL）的时钟调节电路，A3P030器件不支持PLL或RAM。器件拥有高达100万系统门，支持高达144 kbit真双端口SRAM和多达300个用户I/O。支持ARM Cortex-M1处理器，支持ARM的器件不支持AES解密。

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特性：低功耗: -纳瓦级功耗，业界最低功耗。支持1.2 V至1.5 V核心电压，适用于低功耗应用。支持单电压系统运行。低功耗有源FPGA运行。Flash*Freeze技术，在保持FPGA内容的同时实现超低功耗。易于进入和退出超低功耗Flash*Freeze模式。 小尺寸封装: -尺寸小至3x3 mm。 广泛的功能: -10,000至250,000系统门

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第三代闪存FPGA，提供超越前代的性能、密度和功能。非易失性闪存技术使其成为安全、低功耗、即时启动的单芯片解决方案。可重新编程，以ASIC级单位成本提供上市时间优势。支持使用现有ASIC或FPGA设计流程和工具创建高密度系统。提供1 kbit片上可重新编程非易失性FlashROM存储和基于集成锁相环（PLL）的时钟调节电路。A3P030器件无PLL或RAM支持。拥有高达100万个系统门，支持高达144 kbit的真双端口SRAM和高达300个用户I/O。支持ARM Cortex-M1处理器，支持ARM的器件不支持AES解密。