特性:内核:带有FPU的32位Cortex-M4 CPU、在Flash存储器中实现零等待状态运行性能的自适应实时加速器(ART加速器)、主频高达180MHz,MPU,能够实现高达225DMIPS/1.25DMIPS/MHz(Dhrystone2.1)的性能,具有DSP指令集。 高达2MB Flash,组织为两个区,可读写同步。 高达256 + 4KB的SRAM,包括64-KB的CCM(内核耦合存储器)数据RAM。 具有高达32位数据总线的灵活外部存储控制器:SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR、SDRAM、Compact Flash/NOR/NAND存储器。 LCD并行接口,兼容8080/8600模式。 LCD-TFT控制器有高达XGA的分辨率,具有专用的Chrom-ART Accelerator,用于增强的图形内容创建(DMA2D)。 1.7V到3.6V供电和I/O。 POR、PDR、PVD和BOR
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特性:核心:ARM 32位Cortex-M4 CPU,带FPU,自适应实时加速器(ART Accelerator),允许从闪存零等待状态执行,频率高达168 MHz,具备内存保护单元,210 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持DSP指令。 存储器:高达1 Mbyte闪存,高达192 + 4 Kbytes SRAM,包括64 Kbyte CCM(核心耦合内存)数据RAM,灵活的静态内存控制器,支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器。 LCD并行接口,支持8080/6800模式。
ARM Cortex-M4/M0 微控制器 IC series 32 位双核 204MHz
带 DP-FPU 的高性能 DSP、带 512 KB 闪存、564 KB RAM、550 MHz CPU、L1 缓存、外部存储器接口、外设子集的 Arm Cortex-M7 MCU
是低功耗CMOS 8位微控制器,基于AVR增强型RISC架构。通过在单时钟周期内执行强大的指令,可实现接近每MHz 1 MIPS的吞吐量,使系统设计人员能够优化功耗与处理速度。
MCU@@PY32F002A 系列微控制器采用高性能的 32 位 ARM? Cortex?-M0+内核,宽电压工作范围的 MCU。嵌入高 达 20Kbytes flash 和 3Kbytes SRAM 存储器。包含多种不同封装类型多款产品。芯片集 成多路 I2C、SPI、USART 等通讯外设,1 路 12bit ADC,多个定时器。提供 sleep 和 stop 低功耗工作模式,可以满足不同的低功耗应用。
特性:大容量4096字节片内RAM数据存储器。高速:1个时钟/1机器周期,增强型8051片核,速度比传统8051快7~12倍,比STC早期的IT系列单片机速度快20%。宽电压:2.5V-6.5V。低功耗设计:低速模式,空闲模式,掉电模式(可由外部中断或内部掉电唤醒电路唤醒)。不需外部复位的单片机,ISP编程时16级复位门推出压可选,内置高可靠复位定时器。不需外部晶振的单片机,ISP编程时内部时钟从5MHz-30MHz可设(相当于普通8051,60~360MHz)。内部高精度R/C时钟(±0.3%),±1%温漂(+40°C-+ 85°C),常温下温飘-0.6%(+20°C-+ 65°C)。支持掉电唤醒的资源有:INT0/INT1(上升沿/下降沿中断均可)、INT2/INT3/INT4(下降沿中断);CCP0/CCP1/RxD/RxD2/RxD3/RxD4/T0/T1/T2/T3/T4管路;内部掉电唤醒专用定时器
PY32F030系列微控制器采用高性能的32位ARM Cortex -M0+内核,宽电压工作范围的MCU。嵌入高达64Kbytes flash和8Kbytes SRAM存储器,最高工作频率48MHz。包含多种不同封装类型多款产品。
CH552芯片是一款兼容MCS51指令集的增强型E8051内核单片机,其79%的指令是单字节单周期指令,平均指令速度比标准MCS51快8-15倍。CH552支持最高24MHz系统主频,内置16K程序存储器ROM和256字节内部iRAM以及1K字节片内xRAM,xRAM支持DMA直接内存存取。CH552内置了ADC模数转换、触摸按键电容检测、3组定时器和信号捕捉及PWM、双异步串口、SPI、USB设备控制器和全速收发器等功能模块。CH551是CH552的简化版,程序存储器ROM为10K,片内xRAM为512字节,异步串口仅UART0,封装形式仅SOP16,触摸按键仅4通道,并且去掉了ADC模数转换模块和USB type-C模块,其它与CH552相同,可直接参考CH552手册和资料。
EFM8BB1,作为Busy Bee系列MCU的一部分,是一系列具有全面功能集的小型封装8位微控制器。这些设备通过将先进的模拟和通信外设集成到小型封装中提供了高价值,使其成为空间受限应用的理想选择。凭借高效的8051内核、增强的脉宽调制和精密模拟,EFM8BB1系列也非常适合嵌入式应用。EFM8BB1的应用包括:- 电机控制- 医疗设备- 消费电子产品- 照明系统- 传感器控制器- I/O端口扩展器主要特性:- 具有25 MHz最大工作频率的流水线8位C8051内核- 最多18个多功能、5V耐压I/O引脚- 一个12位模数转换器(ADC)- 两个低电流模拟比较器- 集成温度传感器- 3通道增强PWM/PCA- 四个16位定时器- UART、SPI和SMBus/I2C- 优先级交叉开关用于灵活的引脚映射突出特性:- 核心:流水线CIP-51核心,完全兼容标准8051指令集,70%的指令在一个或两个时钟周期内执行,最大工作频率为25 MHz- 存储器:最多8 kB闪存,在系统内可从固件重新编程,最多512字节RAM(包括256字节标准8051 RAM和256字节片上XRAM)- 电源:内部LDO稳压器用于CPU核心电压,上电复位电路和欠压检测器,总共最多18个多功能I/O引脚,所有引脚在偏置下5V耐压,灵活的外围交叉开关用于外围路由,5 mA源极驱动能力,12.5 mA沉极允许直接驱动LED- 时钟源:内部24.5 MHz振荡器,精度±2%,内部80 kHz低频振荡器,外部CMOS时钟选项- 定时器/计数器和PWM:支持PWM、捕获/比较和频率输出模式的3通道可编程计数器阵列(PCA),4 x 16位通用定时器,独立看门狗定时器,由低频振荡器计时- 通信和数字外设:UART、SPI主/从、SMBus/I2C主/从、16位CRC单元,在256字节边界处自动对闪存进行CRC校验- 模拟:12位模数转换器(ADC),2 x 低电流模拟比较器,带可调参考- 片上非侵入式调试:全内存和寄存器检查,四个硬件断点,单步执行- 预加载UART引导程序- 温度范围-40至85°C或-40至125°C- 单电源2.2至3.6 V- QSOP24、SOIC16和QFN20封装
HC32F030 系列是一款宽电压工作范围的通用MCU。集成12 位 1Msps 高精度 SARADC 以及集成了比较器、运放、内置高性能PWM 定时器、多路 UART、SPI、I2C 等丰富的通讯外设,内建AES、TRNG 等信息安全模块,具有高整合度、高抗干扰、高可靠性的特点。本产品内核采用 Cortex-M0+ 内核,配合成熟的 Keil & IAR 调试开发软件,支持C 语言及汇编语言,汇编指令。
中科芯CKS32F051系列入门级MCU,基于ARM Cortex-M0打造,具有丰富的通信接口和可靠的工作稳定性。该物料只适用于在消费电子、安防、新能源、智能家居、工控及物联设备。
特性:核心:32位Cortex®-M0+ CPU,频率高达48 MHz。 工作温度:-40°C至85°C / 105°C / 125°C。 存储器: -高达32 KB的带保护的闪存。6 KB带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。 复位和电源管理: -电压范围:2.0 V至3.6 V
MSP430G2553 具有 16KB 闪存、512B SRAM、比较器、UART/SPI/I2C、计时器的 16MHz MCU
特性:高性能RISC CPU: -仅需学习35条指令。 -除分支指令外,所有指令均为单周期指令。 -工作速度: -直流-20 MHz振荡器/时钟输入。 -直流-200 ns指令周期。 -中断能力。 -8级深度硬件堆栈
STM32F042X4/X6 微控制器集成了高性能的 ARM CorteX-M0 32 位 RISC 内核,运行频率高达 48 MHz,高速嵌入式存储器(高达 32 KB 的闪存和 6 KB 的 SRAM),以及一系列增强型外设和 I/O。所有设备提供标准通信接口(一个 I2C、两个 SPI/一个 I2S、一个 HDMI CEC 和两个 USART)、一个无晶振 USB 全速设备、一个 CAN、一个 12 位 ADC、四个 16 位定时器、一个 32 位定时器和一个高级控制 PWM 定时器。STM32F042X4/X6 微控制器的工作温度范围为 -40 至 +85℃ 和 -40 至 +105℃,电源电压范围为 2.0 至 3.6 V。一套全面的节能模式允许设计低功耗应用。STM32F042X4/X6 微控制器包括七种不同封装形式的产品,从 20 引脚到 48 引脚不等,并可根据要求提供裸片形式。根据所选设备的不同,包含不同的外设组合。这些特性使得 STM32F042X4/X6 微控制器适用于广泛的应用领域,如应用控制和用户界面、手持设备、A/V 接收机和数字电视、PC 外设、游戏和 GPS 平台、工业应用、PLC、逆变器、打印机、扫描仪、报警系统、视频对讲机和 HVAC 系统。
特性:高性能 RISC CPU: -仅需学习 35 条指令。 -除分支指令外,所有指令均为单周期指令。 -工作速度: -DC-20 MHz 振荡器/时钟输入。 -DC-200 ns 指令周期。 -中断能力。 -8 级深度硬件堆栈
是低功耗CMOS 8位微控制器,基于AVR增强型RISC架构。通过在单个时钟周期内执行强大的指令,实现接近每MHz 1 MIPS的吞吐量,使系统设计人员能够优化功耗与处理速度。AVR内核将丰富的指令集与32个通用工作寄存器相结合。所有32个寄存器都直接连接到算术逻辑单元(ALU),允许在一个时钟周期内执行的一条指令中访问两个独立的寄存器。与传统的CISC微控制器相比,这种架构代码效率更高,吞吐量提高了多达十倍。提供以下功能:2/4/8K字节的系统内可编程闪存、128/256/512字节EEPROM、128/256/256字节SRAM、6个通用I/O线、32个通用工作寄存器、一个具有比较模式的8位定时器/计数器、一个8位高速定时器/计数器、通用串行接口、内部和外部中断、一个4通道10位ADC、一个带内部振荡器的可编程看门狗定时器以及三种软件可选的节能模式
频率 (MHz):240,FLASH (KB):1024,SRAM (KB):224,CPU:ARM? Cortex?-M4,工作电压(V):2.6~3.6,工作温度:-40°C ~ 105°C,封装:LQFP100
特性:超低功耗平台,1.65V至3.6V电源,-40至125℃温度范围。 0.27μA待机模式(2个唤醒引脚)。 0.4μA停止模式(16个唤醒线)。 0.8μA停止模式 + RTC + 8KB RAM保留。 运行模式下88μA/MHz。 3.5μs唤醒时间(从RAM)
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