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SN74LVC16373A 具有三态输出的 16 位透明 D 型锁存器

TI(德州仪器)SSOP-48-300mil
微控制器 / 逻辑器件锁存器
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SN74LVC16373 具有三态输出的 16 位透明 D 类锁存器

TI(德州仪器)SSOP-48-300mil
微控制器 / 逻辑器件锁存器
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MIC5800和MIC5801锁存驱动器是高压、大电流集成电路,由四个或八个CMOS数据锁存器、每个锁存器对应的一个双极达林顿晶体管驱动器,以及用于通用清除(CLEAR)、选通(STROBE)和输出使能(OUTPUT ENABLE)功能的CMOS控制电路组成。双极/ MOS组合提供了一个具有最大接口灵活性的极低功耗锁存器。MIC5800包含四个锁存驱动器;MIC5801包含八个锁存驱动器

MICROCHIP(美国微芯)PDIP-14
微控制器 / 逻辑器件锁存器
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TPIC6B273 八通道、150mA/通道 D 类锁存器

TI(德州仪器)PDIP-20
微控制器 / 逻辑器件锁存器
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SN74HCT573 具有三态输出的八路透明 D 类锁存器

TI(德州仪器)SSOP-20-208mil
微控制器 / 逻辑器件锁存器
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RS1G373 器件是一款单路 D 型锁存器,设计用于 1.65V 至 5.5V 的 VCC 电源电压。该器件特别适用于实现缓冲寄存器、I/O 端口、双向总线驱动器和工作寄存器。当锁存使能 (LE) 输入为高电平时,Q 输出跟随数据 (D) 输入

RUNIC(润石)SC-70-6
微控制器 / 逻辑器件锁存器
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8-bit addressable latch

MDD(辰达半导体)TSSOP-16
微控制器 / 逻辑器件锁存器
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是一款带有三态输出的八进制 D 型透明锁存器。该设备具有锁存使能 (LE) 和输出使能 (OE) 输入。当 LE 为高电平时,输入的数据进入锁存器。在这种情况下,锁存器是透明的,锁存器输出将随其对应的 D 输入的每次变化而变化。当 LE 为低电平时,锁存器存储在 LE 从高到低转换之前的建立时间内输入处存在的信息。OE 为高电平会使输出呈现高阻抗关断状态。OE 输入的操作不影响锁存器的状态。输入具有过压容限。此功能允许这些设备在混合电压环境中用作转换器。

Nexperia(安世)TSSOP-20
微控制器 / 逻辑器件锁存器
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SN74LVC1G373 具有三态输出的单路 D 型锁存器

TI(德州仪器)DSBGA-6
微控制器 / 逻辑器件锁存器
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SN74ALVCH373 具有三态输出的八路透明 D 类锁存器

TI(德州仪器)TSSOP-20
微控制器 / 逻辑器件锁存器
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CD74HCT373 具有三态输出的高速 CMOS 逻辑八路透明锁存器

TI(德州仪器)SOIC-20-300mil
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SN74LVC573A 具有三态输出的八路透明 D 类锁存器

TI(德州仪器)SOIC-20-300mil
微控制器 / 逻辑器件锁存器
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是一款具有三态输出的8位D型透明锁存器。该器件具有锁存使能 (LE) 和输出使能 (OE) 输入。当LE为高电平时,输入的数据进入锁存器。在这种情况下,锁存器是透明的;每次其对应的D输入发生变化时,锁存器输出都会改变。当LE为低电平时,锁存器存储在LE从高到低转换之前一个建立时间的输入信息。OE为高电平会使输出呈现高阻抗关断状态。OE输入的操作不影响锁存器的状态。输入包括钳位二极管,这使得能够使用限流电阻将输入连接到超过VCC的电压。

Nexperia(安世)DHVQFN-20
微控制器 / 逻辑器件锁存器
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该器件可作为电平转换器,用于将 TTL 或 NMOS 输出与高速 CMOS 输入接口。当锁存使能为高电平时,这些锁存器对数据呈现透明状态(即输出异步变化)。当锁存使能变为低电平时,满足建立和保持时间的数据将被锁存。输出使能输入不影响锁存器的状态,但当输出使能为高电平时,所有器件输出将被强制置为高阻态。因此,即使输出未使能,数据也可以被锁存。HCT573A 在功能上与 HCT373A 相同,但数据输入位于封装的与输出相反的一侧,以方便 PCB 布局。

onsemi(安森美)SOIC-20-300mil
微控制器 / 逻辑器件锁存器
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TOSHIBA(东芝)TSSOP-20
微控制器 / 逻辑器件锁存器
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SN74AC373 具有三态输出的八路 D 类透明锁存器

TI(德州仪器)TSSOP-20
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SN74HCT373 具有三态输出的八路透明 D 类锁存器

TI(德州仪器)SO-20-208mil
微控制器 / 逻辑器件锁存器
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onsemi(安森美)TSSOP-20
微控制器 / 逻辑器件锁存器
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CD74ACT373 具有三态输出的八路透明锁存器

TI(德州仪器)SOIC-20-300mil
微控制器 / 逻辑器件锁存器
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高速八进制 D 型锁存器采用先进的硅栅 CMOS 技术,具备标准 CMOS 集成电路的高抗噪性和低功耗特性,还能驱动 15 个 LS-TTL 负载。由于其大输出驱动能力和三态特性,这些器件非常适合在总线系统中与总线线路接口。当锁存使能输入为高电平时,Q 输出将跟随 D 输入;当锁存使能变为低电平时,D 输入的数据将保留在输出端,直到锁存使能再次变为高电平。当向输出控制输入施加高逻辑电平时,所有输出都将进入高阻态,而不管其他输入处存在什么信号以及存储元件的状态如何

onsemi(安森美)SOIC-20-300mil
微控制器 / 逻辑器件锁存器
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