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SN74ABT841A 具有三态输出的 10 位总线接口 D 类锁存器

具有三态输出的八路边沿触发式 D 型触发器 20-SOIC -40 to 85

SN74AHC16373 具有三态输出的 16 位透明 D 类锁存器

由八个带三态输出的锁存器组成，适用于总线系统应用。当锁存使能 (LE) 为高电平时，触发器对数据透明；当 LE 为低电平时，满足建立时间的数据被锁存。当输出使能 (OE) 为低电平时，数据出现在总线上；当 OE 为高电平时，总线输出处于高阻态。

SN74ALS373A 具有三态输出的八路 D 类透明锁存器

SN74AHCT16373 具有三态输出的 16 位透明 D 类锁存器

是一款高性能、同相八进制透明锁存器，工作电源电压范围为2.3至3.6V。高阻抗TTL兼容输入可显著降低输入驱动器的电流负载，而TTL兼容输出可改善开关噪声性能。输入电压规格为5.5V，允许其输入由5.0V设备安全驱动。包含8个带三态标准输出的D型锁存器。当锁存使能（LE）输入为高电平时，Dn输入的数据进入锁存器，此时锁存器是透明的；当LE为低电平时，锁存器存储在LE从高到低转换前建立时间内D输入上的信息。三态标准输出由输出使能（OE）输入控制，当OE为低电平时，标准输出使能；当OE为高电平时，标准输出处于高阻抗状态，但这不会干扰新数据进入锁存器。其直通式设计便于印刷电路板布局。

带三态控制的8位D型锁存器

4路带三态输出的R/S锁存器

SN74HC259是2至6V、8位可寻址锁存器

CD74HCT259 高速 CMOS 逻辑 8 位可寻址锁存器

SN74AHCT373 具有三态输出的八路透明 D 类锁存器

CMOS MSI 四 R-S 锁存器由 MOS P 沟道和 N 沟道增强型器件构成单块结构。每个锁存器有独立的 Q 输出、置位和复位输入。Q 输出通过具有公共使能输入的三态缓冲器选通。使能输入为逻辑“1”或高电平时输出使能；逻辑“0”或低电平时锁存器与 Q 输出断开，Q 输出开路。

SN74LVC573A-Q1 汽车类具有三态输出的八路透明 D 级锁存器

CD74HC259 高速 CMOS 逻辑 8 位可寻址锁存器

CD4099是一款CMOS8位可寻址锁存器

MC14043B 和 MC14044B 四路 R-S 锁存采用一个单片结构，使用 MOS P 沟道和 N 沟道增强型器件进行构造。每个锁存都有一个独立的 Q 输出以及设置输入和重置输入。Q 输出通过具有公用启用输入的三态缓冲器进行门极控制。这些输出使用逻辑“1”或启用输入的高电平启用；逻辑“0”或低电平会将锁存从 Q 输出断开，从而在 Q 输出处产生开路。

SN74ABT573A 具有三态输出的八路透明 D 类锁存器

是一款带有三态输出的四路R/S锁存器，具有公共输出使能输入 (OE)。每个锁存器都有一个高电平有效的置位输入 (1S 至 4S)、一个高电平有效的复位输入 (1R 至 4R) 和一个高电平有效的三态输出 (1Q 至 4Q)。当 OE 为高电平时，锁存器输出 (nQ) 由 nR 和 nS 输入决定。当 OE 为低电平时，锁存器输出处于高阻抗关断状态。OE 不影响锁存器的状态。高阻抗关断状态特性允许输出进行公共总线连接。它在推荐的 3V 至 15V 电源电压范围内工作，参考电压为 VSS（通常为地）。未使用的输入必须连接到 VDD、VSS 或另一个输入。