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是一个8位串行或并行输入/串行输出移位寄存器。该器件具有一个串行数据输入 (DS)、八个并行数据输入 (D0 至 D7) 和两个互补串行输出 (Q7 和 Q7)。当并行加载输入 (PL) 为低电平时，来自 D0 至 D7 的数据将异步加载到移位寄存器中。当 PL 为高电平时，数据在 DS 处串行进入寄存器。当时钟使能输入 (CE) 为低电平时，数据在 CP 输入的低到高转换时移位。CE 上的高电平将禁用 CP 输入。输入包括钳位二极管，这使得可以使用限流电阻将输入连接到超过 VCC 的电压。

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CD4094BE升级替代料，建议试样，CMOS 8 级移位存储总线寄存器

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这款4位寄存器具备并行和串行输入、并行输出、模式控制以及两个时钟输入功能。该寄存器有三种工作模式：并行（宽边）加载。

SN74LS166是一款8位串行或并行输入/串行输出移位寄存器。

SN74HC594是具有输出寄存器的8位移位寄存器

是一个8位串行或并行输入/串行输出移位寄存器。该器件具有一个串行数据输入（DS）、八个并行数据输入（D0至D7）和两个互补串行输出（Q7和Q7）。当并行加载输入（PL）为低电平时，来自D0至D7的数据将异步加载到移位寄存器中。当PL为高电平时，数据在DS处串行进入寄存器。当时钟使能输入（CE）为低电平时，数据在CP输入的低到高转换时移位。CE为高电平将禁用CP输入。输入包括钳位二极管，这使得可以使用限流电阻将输入连接到超过VCC的电压。

SN74HC165-Q1 汽车类 8 位并联负载移位寄存器

是8位串行输入/并行输出移位寄存器。该器件具有两个串行数据输入（DSA和DSB）、八个并行数据输出（Q0至Q7）。数据通过DSA或DSB串行输入，任一输入都可作为使能信号，使数据通过另一个输入。数据在时钟（CP）输入的低到高转换时移位。主复位输入（MR）上的低电平会清除寄存器，并使所有输出为低电平，与其他输入无关。输入包含钳位二极管，这使得可以使用限流电阻将输入连接到超过VCC的电压。

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是8位串行输入/串行或并行输出移位寄存器，带有存储寄存器和三态输出。移位寄存器和存储寄存器都有独立的时钟。该器件具有一个串行输入 (DS) 和一个串行输出 (Q7S) 以实现级联，以及一个异步复位 MR 输入。MR 上的低电平将复位移位寄存器

74LV595是一款8位串行输入/串行或并行输出的移位寄存器，带有一个存储寄存器和三态输出。移位寄存器和存储寄存器都有独立的时钟。该器件具有一个串行输入（DS）和一个串行输出（Q7S），以支持级联功能，还有一个异步复位（MR）输入

74HCT595 是一款高速 CMOS 器件，其引脚与 74LS 低功耗肖特基类型器件兼容。一个 8 位移位寄存器在移位寄存器时钟（STCP）的每个正跳变沿从串行输入（DS）接收数据。当复位功能（MR）置为低电平时，会将所有移位寄存器的值置为 0，且该操作与所有时钟无关

CD74HC299 具有三态输出的高速 CMOS 逻辑 8 位通用移位寄存器

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由MOS P沟道和N沟道增强型器件构成，采用单芯片结构。由两个相同的、独立的4状态串行输入/并行输出寄存器组成。每个寄存器有独立的时钟和复位输入，以及一个串行数据输入。寄存器状态为D型主从触发器。数据在时钟上升沿从一级移到下一级。当复位线施加高电平时，每个寄存器可以清零。适用于需要低功耗和/或抗干扰能力的缓冲存储和串行到并行转换。

MM74HC164采用先进的硅栅CMOS技术。它具备标准CMOS集成电路的高抗噪性和低功耗特性，同时速度可与低功耗肖特基器件相媲美。这款8位移位寄存器设有门控串行输入和清零（CLEAR）功能