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SN74HCS166 8 位并行负载移位寄存器

SN74AHC595 具有三态输出寄存器的 8 位移位寄存器

SN74HCS166 8 位并行负载移位寄存器

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SN74HCS595-Q1 具有施密特触发输入和三态输出寄存器的汽车类 8 位移位寄存器

SN74HCS594-Q1 具有输出寄存器的汽车类 8 位移位寄存器

8位移位寄存器/锁存器（三态）。采用硅栅CMOS技术制造的高速8位移位寄存器/锁存器，在保持CMOS低功耗的同时，实现了与等效双极肖特基TTL类似的高速操作。包含一个8位静态移位寄存器，为一个8位存储寄存器提供数据。移位操作在SCK输入的上升沿完成，输出寄存器在RCK输入的上升沿加载移位寄存器的内容

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器件包含对8位D类存储寄存器进行馈送的8位串行输入、并行输出移位寄存器。存储寄存器具有并行的三态输出。移位寄存器和存储寄存器分别有单独的时钟。移位寄存器具有直接覆盖清零(SRCLR)输入、串行(SER)输入和用于级联的串行输出 (QH) 。当输出使能(OE)输入为高电平时,存储寄存器输出处于高阻抗状态。内部寄存器数据和串行输出 (QH) 不受OE输入的影响。该输入经设计,具有较低阈值电路,支持电源电压大于输入电压时的升压转换。此外,当输入电压大于电源电压时,5V容限输入引脚可实现降压转换。输出电平始终以电源电压 (VCC) 为基准,并支持1.8V、2.5V、3.3V和5V CMOS电平。

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是一个8位静态移位寄存器（并行到串行转换器），具有同步串行数据输入 (DS)、时钟输入 (CP)、异步高电平有效并行加载输入 (PL)、八个异步并行数据输入 (D0 到 D7) 以及来自最后三级的缓冲并行输出 (Q5 到 Q7)。每个寄存器级是一个具有直接置位 (SD) 和直接清零 (CD) 输入的 D 型主从触发器。当 PL 为高电平时，D0 到 D7 上的信息被异步加载到寄存器中，与 CP 和 DS 无关。当 PL 为低电平时，DS 上的数据在 CP 的低到高转换时被移入第一个寄存器位置，并且寄存器中的所有数据向右移动一位

CD74HC195 高速 CMOS 逻辑 4 位并行访问寄存器

SN74LS165A 串行输出移位寄存器

MC74VHC595是一款采用硅栅CMOS技术制造的先进高速8位移位寄存器，带有一个输出存储寄存器。它能实现与等效双极型肖特基TTL类似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗特性。MC74VHC595包含一个8位静态移位寄存器，该寄存器为一个8位存储寄存器提供数据

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SN74AHCT594 具有输出寄存器的 8 位移位寄存器

TPIC6C596 汽车类 8 位移位寄存器