MC14014B 和 MC14021B 在一个单片结构中使用 MOS P 沟道和 N 沟道增强模式器件构造。此类移位寄存器主要用于并行-串行数据转换、同步和异步并行输入、串行输出数据排队;以及其他需要低功耗和/或高抗扰性的通用寄存器应用。
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SN74HCS165-Q1 汽车类 8 位并行负载移位寄存器
SN74LV595A-Q1 具有三态输出寄存器的汽车类 8 位移位寄存器
SN74LV595A-Q1 具有三态输出寄存器的汽车类 8 位移位寄存器
该产品引脚排列与LS165相同,其输入与标准CMOS输出兼容,接上拉电阻后与LSTTL输出兼容。它是一款8位移位寄存器,末级有互补输出。数据可以并行或串行形式加载到寄存器中。当串行移位/并行加载输入为低电平时,数据异步并行加载;当串行移位/并行加载输入为高电平时,数据在时钟或时钟禁止信号的上升沿串行加载。2输入或非时钟可通过组合两个独立时钟源或指定其中一个时钟输入作为时钟禁止信号来使用。
SN54HC595 具有三态输出寄存器的 8 位移位寄存器
SN74LS674 串行输出移位寄存器
SN54HC595 具有三态输出寄存器的 8 位移位寄存器
74系列逻辑芯片/SM74HC595D 编带
是一个8位串行或并行输入/串行输出移位寄存器。该器件具有一个串行数据输入 (DS)、八个并行数据输入 (D0 至 D7) 和两个互补串行输出 (Q7 和 Q7)。当并行加载输入 (PL) 为低电平时,来自 D0 至 D7 的数据将异步加载到移位寄存器中。当 PL 为高电平时,数据在 DS 处串行进入寄存器。当时钟使能输入 (CE) 为低电平时,数据在 CP 输入的低到高转换时移位。CE 上的高电平将禁用 CP 输入。输入包括钳位二极管,这使得可以使用限流电阻将输入连接到超过 VCC 的电压。
8位并入串出移位寄存器
74HCT595 是一款高速 CMOS 器件,其引脚与 74LS 低功耗肖特基类型器件兼容。一个 8 位移位寄存器在移位寄存器时钟(STCP)的每个正跳变沿从串行输入(DS)接收数据。当复位功能(MR)置为低电平时,会将所有移位寄存器的值置为 0,且该操作与所有时钟无关
由一个8位移位寄存器和一个带三态并行输出的8位D型锁存器组成。移位寄存器接受串行数据并提供串行输出,还向8位锁存器提供并行数据。移位寄存器和锁存器有独立的时钟输入,该器件还有一个用于移位寄存器的异步复位。可直接与CMOS微处理器和微控制器上的SPI串行数据端口接口,器件输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容。
由一个8位移位寄存器和一个带三态并行输出的8位D型锁存器组成。移位寄存器接受串行数据并提供串行输出,还向8位锁存器提供并行数据。移位寄存器和锁存器有独立的时钟输入,该器件还有一个用于移位寄存器的异步复位。可直接与CMOS微处理器和微控制器上的SPI串行数据端口接口,器件输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容。
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SN74AHCT594 具有输出寄存器的 8 位移位寄存器
SN74HCT165-Q1 具有 TLL 兼容输入的汽车类 8 位并行负载移位寄存器
SN74HCS595-Q1 具有施密特触发输入和三态输出寄存器的汽车类 8 位移位寄存器
SN74LV165A-Q1 汽车类八位并行负载移位寄存器
CD74HCT299 具有三态输出的高速 CMOS 逻辑 8 位通用移位寄存器
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