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MC14015B 在单片结构中使用 MOS P 沟道和 N 沟道增强模式器件构造。它由两个相同的独立 4 状态串行输入/并行输出寄存器组成。每个寄存器都有独立的时钟和重置输入，以及单个串行数据输入。寄存器状态为 D 型主从触发器。在正向时钟转换期间，数据从一级转移到下一级。在重置线上施加高电平时，可清除每个寄存器。这些互补 MOS 移位寄存器主要用于需要低功耗和/或抗扰度的缓冲器存储和串并转换。

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SN74HCT595-Q1 具有 TLL 兼容 CMOS 输入和三态输出寄存器的汽车类 8 位移位寄存器

CD74HC164 高速 CMOS 逻辑 8 位串行输入/并行输出移位寄存器

SN74HC166 8 位并行负载移位寄存器

CD74HCT4094 具有 3 级输出的高速 CMOS 逻辑 8 级移位和存储总线寄存器

SN74LV594A 具有输出寄存器的 8 位移位寄存器

CD74HC597 具有输入存储的高速 CMOS 逻辑 8 位移位寄存器

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8位SIPO移位寄存器锁存器（3态）

SN74LS164 串行输入移位寄存器

SN74HC164 8 位并行输出串行移位寄存器

CD74HC595 具有三态输出寄存器的 8 位移位寄存器

SN74LV166A 8 位并行负载移位寄存器

CD4021B-Q1 汽车类 CMOS 8 级静态移位寄存器

高速 CMOS 逻辑 4 x 4 寄存器文件 16-SOIC -55 to 125

SN74AHC594 具有输出寄存器的 8 位移位寄存器

SN74LV166A 8 位并行负载移位寄存器

CD74AC299 具有常见的并行 I/O 引脚和异步复位的 8 输入通用移位/存储寄存器

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