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该产品引脚排列与LS597相同，其输入与标准CMOS输出兼容；通过上拉电阻，也与LSTTL输出兼容。该产品由一个8位输入锁存器组成，可将并行数据输入到一个8位移位寄存器中，数据也可以串行加载。其功能与HC589A类似，HC589A是一个三态器件。

CD74HC597 具有输入存储的高速 CMOS 逻辑 8 位移位寄存器

是一款采用硅栅C2MOS技术制造的高速8位移位寄存器/锁存器。能实现与等效双极肖特基TTL类似的高速操作，同时保持CMOS的低功耗特性。包含一个8位静态移位寄存器，为一个8位存储寄存器提供数据。移位操作在SCK输入的正跳变时完成，输出寄存器在RCK输入的正跳变时加载移位寄存器的内容

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并联负载 8 位移位寄存器 16-SOIC -40 to 125

CD74HCT299 具有三态输出的高速 CMOS 逻辑 8 位通用移位寄存器

低电压串行到高压并行转换器，具有推挽输出。适用于交流电致发光显示器驱动，也可用于任何需要多输出高压、电流源和吸收能力的应用，如驱动等离子面板、真空荧光或大型矩阵液晶显示器。该设备由32位移位寄存器、32个锁存器和控制逻辑组成，以启用输出。数据在时钟的低到高转换时通过移位寄存器移位。数据输出缓冲器用于级联设备，此输出反映移位寄存器最后一位（32）的当前状态。移位寄存器的操作不受LE（锁存使能）或OE（输出使能）输入的影响。当LE输入为高电平时，数据从移位寄存器传输到锁存器；当LE为低电平时，锁存器中的数据被保留。

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工作电压 2.0V~6.0V，兼容多种数字系统电源。

8位并行输出串行移位寄存器

RS165是8位串行或并行输入/串行输出移位寄存器。该器件具有一个串行数据输入（SER）、八个并行数据输入（D0至D7）和两个互补串行输出（Q7和Q7(上划线)）。当并行加载输入（PL(上划线)）为低电平时，来自D0至D7的数据将异步加载到移位寄存器中

是8位串行输入/串行或并行输出移位寄存器，带有存储寄存器和三态输出。移位寄存器和存储寄存器都有独立的时钟。该器件具有一个串行输入 (DS) 和一个串行输出 (Q7S) 以实现级联，以及一个异步复位 MR 输入。MR 上的低电平将复位移位寄存器

8位移位寄存器/锁存器（三态）。采用硅栅CMOS技术制造的高速8位移位寄存器/锁存器，在保持CMOS低功耗的同时，实现了与等效双极肖特基TTL类似的高速操作。包含一个8位静态移位寄存器，为一个8位存储寄存器提供数据。移位操作在SCK输入的上升沿完成，输出寄存器在RCK输入的上升沿加载移位寄存器的内容

SN74HCS595 具有施密特触发输入和三态输出寄存器的 8 位移位寄存器

是 8 位串行或并行输入/串行输出移位寄存器。该器件具有一个串行数据输入 (DS)、八个并行数据输入 (D0 至 D7) 和两个互补串行输出 (Q7 和 Q7)。当并行加载输入 (PL) 为低电平时，数据从 D0 至 D7 异步加载到移位寄存器中。当 PL 为高电平时，数据在 DS 处串行进入寄存器。当时钟使能输入 (CE) 为低电平时，数据在 CP 输入的低到高转换时移位。CE 上的高电平将禁用 CP 输入。输入可承受高达 15 V 的过电压，这使该器件可用于高到低电平转换应用。

是8位串行输入/并行输出移位寄存器。该器件具有两个串行数据输入（DSA和DSB）、八个并行数据输出（Q0至Q7）。数据通过DSA或DSB串行输入，任一输入都可作为使能信号，使数据通过另一个输入。数据在时钟（CP）输入的低到高转换时移位。主复位输入（MR）上的低电平会清除寄存器，并使所有输出为低电平，与其他输入无关。输入包含钳位二极管，这使得可以使用限流电阻将输入连接到超过VCC的电压。

逻辑类型: 移位寄存器 输出类型: 补充型 功能: 并行或串行至串行 工作电压: 2V~6V 工作温度: -40℃~+85℃

设备包含一个8位串行输入、并行输出的移位寄存器，该寄存器为一个具有并行三态输出的8位D型锁存器提供数据。为移位寄存器和锁存器分别提供时钟。移位寄存器有一个直接的覆盖清除输入、串行输入和用于级联的串行输出。该设备还具有一个用于移位寄存器的异步复位功能。

是高速硅栅CMOS器件，与低功耗肖特基TTL (LSTTL) 引脚兼容，符合JEDEC标准No. 7A。是带有存储寄存器和三态输出的8级串行移位寄存器，寄存器有独立的时钟。数据在移位寄存器时钟输入 (SHCP) 的正跳变时移位。每个寄存器中的数据在存储寄存器时钟输入 (STCP) 的正跳变时传输到存储寄存器

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