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8位SIPO移位寄存器锁存器（3态）

SN74LS194A 双向通用移位寄存器

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SN74HC166 8 位并行负载移位寄存器

TPIC6C595 100mA/通道 8 位移位寄存器

SN74HC595-EP 具有 3 态输出的 8 位移位寄存器（增强型产品）

HEF4557B是一种静态时钟串行移位寄存器，其长度可以被编程设置为1到64位之间的任意数值。所选的位数等于启用的长度控制输入（L1、L2、L4、L8、L16和L32）下标的总和加一。通过A/B选择输入可以从DA或DB数据输入中选择串行数据。这一特性对于循环使用非常有用。在CP0从低电平到高电平转换且CP1为低电平时，或者在CP1从高电平到低电平转换且CP0为高电平时，DA或DB上的信息会被移入第一个寄存器位置，并且寄存器中的所有数据会向右移动一位。主复位(MR)上的高电平会重置寄存器，使Q变为低电平而Q变为高电平，这与其它输入无关。该器件建议的工作电源电压范围是相对于VSS（通常接地）的3 V至15 V。未使用的输入必须连接到VDD、VSS或另一个输入上。

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SN74HCS164 8 位串行输入/并行输出移位寄存器

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MC14094B 组合了 8 级移位寄存器，每级都带有一个数据锁存，每个锁存有一个三态输出。数据在正向时钟转换时进行移位，从第七级移位到两个串行输出。QS 输出数据用于高速级联系统。QS 输出数据在下一个负向时钟转换时发生移位，用于低速级联系统。来自移位寄存器每级的数据在选通输入的负向转换时进行锁存。选通处于高电平时，数据通过该锁存进行传播。八个数据锁存的输出由三态缓冲器控制，这些缓冲器由输出启用上的逻辑低电平置于高阻抗状态。

SN74HCS16507 8 位并行负载移位寄存器

SN74AHC594 具有输出寄存器的 8 位移位寄存器

CD74HCT4094 具有 3 级输出的高速 CMOS 逻辑 8 级移位和存储总线寄存器

SN74HC165-Q1 汽车类 8 位并联负载移位寄存器

SN74LS165A 串行输出移位寄存器

SN74HC594 具有输出寄存器的 8 位移位寄存器

CD4015B CMOS 双路 4 级静态移位寄存器

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用于增强级联的 8 位移位寄存器 20-SOIC -40 to 125