海量元器件型号，
快速搜索匹配。

型号别名：935293884157

该设备属于GD32 MCU系列的连接产品线，是一款基于ARM® Cortex®-M4 RISC内核的新型32位通用微控制器，在增强处理能力、降低功耗和外设配置方面具有最佳性价比。Cortex®-M4内核具有浮点单元（FPU），可加速单精度浮点数学运算，支持所有ARM®单精度指令和数据类型。它实现了一套完整的DSP指令，以满足对控制和信号处理能力高效、易用融合有需求的数字信号控制市场。它还提供了内存保护单元（MPU）和强大的跟踪技术，以增强应用程序安全性和高级调试支持

特性：核心：ARM 32位Cortex™-M3 CPU，最高频率72 MHz，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），单周期乘法和硬件除法。 256至512 Kbytes的闪存，高达64 Kbytes的SRAM。 灵活的静态内存控制器，带有4个片选，支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND内存。 LCD并行接口，8080/6800模式。 时钟、复位和电源管理：2.0至3.6 V应用电源和I/O，POR、PDR和可编程电压检测器（PVD），4至16 MHz晶体振荡器，内部8 MHz工厂校准RC，内部40 kHz带校准的RC，32 kHz带校准的RTC振荡器。 睡眠、停止和待机模式，VBAT为RTC和备份寄存器供电

带 DP-FPU 的高性能 DSP、带 1 MB 闪存的 Arm Cortex-M7 MCU、564 KB RAM、550 MHz CPU、L1 缓存、外部存储器接口、外设子集

特性：核心：ARM 32 位 Cortex-M4 CPU 带 FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）允许从闪存零等待状态执行，频率高达 180 MHz，具备 MPU、225 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）和 DSP 指令。 存储器：高达 2 MB 的闪存，分为两个存储体，支持读写同时进行；高达 256 + 4 KB 的 SRAM，包括 64 KB 的 CCM（核心耦合内存）数据 RAM；灵活的外部存储器控制器，具备高达 32 位数据总线，支持 SRAM、PSRAM、SDRAM、Compact Flash/NOR/NAND 存储器。 LCD 并行接口，支持 8080/6800 模式。

特性：包含意法半导体最先进的专利技术。32位Arm Cortex-M7内核，具有双精度FPU和L1缓存：16KB数据缓存和16KB指令缓存；频率高达480MHz，具备MPU，1027 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）和DSP指令。高达2MB的闪存，支持读写操作。高达1MB的RAM：192KB的TCM RAM（包括64KB的ITCM RAM + 128KB的DTCM RAM用于时间关键程序），高达864KB的用户SRAM，以及4KB备份域中的SRAM。双模式Quad-SPI内存接口，运行速度高达133MHz。灵活的外部内存控制器，具有高达32位数据总线：SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND闪存，同步模式下时钟频率高达100MHz。CRC计算单元。ROP、PC-ROP、主动篡改保护

特性：核心：16 MHz先进STM8内核，采用哈佛架构和三级流水线，指令集扩展。 存储器：程序存储器：8 Kbyte闪存，在55°C下经过100个周期后数据可保留20年。RAM：1 Kbyte。数据存储器：128字节真数据EEPROM，耐久性高达100k次写/擦除循环。 时钟、复位和电源管理：2.95 V至5.5 V工作电压。灵活的时钟控制，4种主时钟源：低功耗晶体谐振器振荡器

特性：16 MHz先进的STM8内核，采用哈佛架构和3级流水线，指令集扩展。 中密度闪存/EEPROM：程序存储器高达32 Kbytes；在55℃下经过10 kcycles后数据保留20年，数据存储器高达1 Kbytes真正的数据EEPROM，耐久性为300 kcycles。 RAM：高达2 Kbytes。 2.95V至5.5V工作电压。 灵活的时钟控制，4个主时钟源：低功耗晶体谐振器振荡器、外部时钟输入、内部用户可微调的16 MHz RC、内部低功耗128 kHz RC。 带时钟监控的时钟安全系统

特性：核心：ARM 32 位 Cortex-M0 CPU，频率高达 48 MHz。16 至 256 Kbytes 的闪存。4 至 32 Kbytes 的带硬件奇偶校验的 SRAM。CRC 计算单元。复位和电源管理。数字和 I/O 电源：VDD = 2.4V 至 3.6V

特性：高性能RISC CPU：仅需学习35条指令。除分支指令外，所有指令均为单周期指令。工作速度：直流-20 MHz振荡器/时钟输入。直流-200 ns指令周期。中断能力。8级深度硬件堆栈

MSP430G2553 具有 16KB 闪存、512B SRAM、比较器、UART/SPI/I2C、计时器的 16MHz MCU

ATmega48PA/88PA/168PA/328P 是一种低功耗 CMOS 8位微控制器，基于AVR增强型RISC架构。通过在一个时钟周期内执行强大的指令，ATmega48PA/88PA/168PA/328P 实现接近1 MIPs/MHz的吞吐量，允许系统设计者优化功耗与处理速度。该器件提供4/8/16/32K字节的可片内编程Flash，具有读写能力，256/512/512/1K字节EEPROM，512/1K/1K/2K字节SRAM，23条通用I/O线路，32个通用工作寄存器，带有比较模式的三个灵活的定时器/计数器，内部和外部中断，一个串行可编程USART，一个面向字节的2线串行接口，一个SPI串行端口，一个6通道10位ADC（TQFP和QFN/MLF封装中为8通道），一个带有内部振荡器的可编程看门狗定时器，以及五种软件选择的省电模式。空闲模式停止CPU，同时允许SRAM、定时器/计数器、USART、2线串行接口、SPI端口和中断系统继续工作。断电模式保存寄存器内容，但冻结振荡器，禁用所有其他芯片功能，直到下一次中断或硬件复位。在省电模式下，异步定时器继续运行，允许用户在设备其余部分休眠时保持定时器基准。ADC降噪模式停止CPU和所有I/O模块，除了异步定时器和ADC，以最小化ADC转换期间的开关噪声。在待机模式下，晶体/谐振器振荡器正在运行，而设备其余部分正在休眠。这允许非常快的启动，并结合低功耗。片上ISP Flash允许通过SPI串行接口，通过传统的非易失性存储器程序员，或通过AVR核心上的片上引导程序，对程序存储器进行片内重新编程。引导程序可以使用任何接口来将应用程序程序下载到应用程序Flash存储器中。Boot Flash部分中的软件将在更新Application Flash部分时继续运行，从而提供真正的读写操作。通过将8位RISC CPU与片内自编程Flash集成在单片芯片上，Atmel ATmega48PA/88PA/168PA/328P是一种功能强大的微控制器，为许多嵌入式控制应用提供了高度灵活且具有成本效益的解决方案。

是一款基于AVR RISC架构的低功耗CMOS 8位微控制器。通过在单个时钟周期内执行强大的指令，可实现接近每MHz 1 MIPS的吞吐量，使系统设计人员能够在功耗与处理速度之间进行优化。AVR内核将丰富的指令集与32个通用工作寄存器相结合，所有32个寄存器都直接连接到算术逻辑单元（ALU），允许在一个时钟周期内执行的单条指令中访问两个独立的寄存器。与传统的CISC微控制器相比，这种架构代码效率更高，吞吐量提高了多达十倍。提供以下特性：具有读/写功能的8KB系统内可编程闪存、512字节EEPROM、1KB SRAM、23个通用I/O线、32个通用工作寄存器、三个具有比较模式的灵活定时器/计数器、内部和外部中断、串行可编程USART、面向字节的两线串行接口、一个6通道ADC（TQFP和QFN/MLF封装中为8通道），精度为10位、带有内部振荡器的可编程看门狗定时器、SPI串行端口以及五种软件可选的节能模式。空闲模式停止CPU，同时允许SRAM、定时器/计数器、SPI端口和中断系统继续运行

高性能、低功耗的Atmel AVR 8位微控制器系列n先进的RISC架构 – 131条强大的指令 – 大多数单时钟周期执行 – 32 x 8通用工作寄存器 – 完全静态操作 – 在20MHz下最高可达20 MIPS吞吐量 – 片上2周期乘法器n高耐久性的非易失性存储段 – 4/8/16/32KBytes的片内系统自编程Flash程序内存 – 256/512/512/1KBytes EEPROM – 512/1K/1K/2KBytes内部SRAM – 写入/擦除周期:10,000次Flash/100,000次EEPROM – 数据保留时间:85°C下20年/25°C下100年 – 可选的引导代码段，具有独立的锁定位n片内系统编程由片上引导程序实现真正的读写操作n软件安全的编程锁定nAtmel QTouch库支持 – 电容式触摸按钮、滑块和滚轮 – QTouch和QMatrix采集 – 最多64个感应通道n外设特性 – 两个8位定时器/计数器，具有独立预分频器和比较模式 – 一个16位定时器/计数器，具有独立预分频器、比较模式和捕获模式 – 带有单独振荡器的实时时钟 – 六个PWM通道 – 8通道10位ADC（TQFP和QFN/MLF封装）温度测量 – 6通道10位ADC（PDIP封装）温度测量 – 可编程串行USART – 主/从SPI串行接口 – 字节型2线串行接口（Philips I2C兼容） – 带有单独片上振荡器的可编程看门狗定时器 – 片内模拟比较器 – 引脚变化中断和唤醒n特殊微控制器特性 – 上电复位和可编程欠压检测 – 内部校准振荡器 – 外部和内部中断源 – 六种睡眠模式:空闲、ADC噪声减少、省电、掉电、待机和扩展待机nI/O和封装 – 23个可编程I/O线 – 28针PDIP，32引脚TQFP，28焊盘QFN/MLF和32焊盘QFN/MLF

低功耗CMOS 8位微控制器，基于AVR增强型RISC架构。通过在单个时钟周期内执行强大的指令，每MHz可实现接近1 MIPS的吞吐量，使系统设计人员能够在功耗和处理速度之间进行优化。AVR内核将丰富的指令集与32个通用工作寄存器相结合。所有32个寄存器都直接连接到算术逻辑单元（ALU），允许在一个时钟周期内执行的单条指令中访问两个独立的寄存器。由此产生的架构代码效率更高，同时实现的吞吐量比传统的CISC微控制器快达十倍。该产品提供以下特性：具有读-写功能的32KB系统内可编程闪存程序存储器、1024字节EEPROM、2KB SRAM、32个通用I/O线、32个通用工作寄存器、用于边界扫描的JTAG接口、片上调试支持和编程、三个具有比较模式的灵活定时器/计数器、内部和外部中断、串行可编程USART、面向字节的两线串行接口、一个8通道10位ADC（TQFP封装仅具有可选差分输入级和可编程增益）、带内部振荡器的可编程看门狗定时器、SPI串行端口以及六种软件可选省电模式

TMS320F28034 具有 60MHz 频率、128KB 闪存的 C2000™ MCU

物料没有真空的要求，漏气不影响使用

特性：ARM 32位Cortex-M3 CPU内核，最高频率72 MHz，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持单周期乘法和硬件除法。 64或128 Kbytes的闪存和20 Kbytes的SRAM。 时钟、复位和电源管理：2.0至3.6 V应用电源和I/O，POR、PDR和可编程电压检测器（PVD），4至16 MHz晶体振荡器，内部8 MHz工厂校准RC，内部40 kHz RC，用于CPU时钟的PLL，带校准的32 kHz振荡器用于RTC。 低功耗：睡眠、停止和待机模式，VBAT为RTC和备份寄存器供电。 2个12位、1 µs A/D转换器（最多16个通道），转换范围：0至3.6 V，双采样和保持能力，温度传感器。 7通道DMA控制器，支持的外设：定时器、ADC、SPI、I²C和USART

特性：核心：Arm 32位Cortex-M4 CPU，带FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator），可实现从闪存的零等待状态执行，频率高达170 MHz，213 DMIPS，具备MPU和DSP指令。 工作条件：VDD、VDDA电压范围为1.71 V至3.6 V。 数学硬件加速器：CORDIC用于三角函数加速，FMAC为滤波器数学加速器。

该产品是基于ARM® Cortex®-M4 RISC内核的新型32位通用微控制器，在增强处理能力、降低功耗和外设配置方面具有出色的性价比。Cortex®-M4内核具有浮点单元（FPU），可加速单精度浮点数学运算，支持所有ARM®单精度指令和数据类型。它实现了一套完整的DSP指令，以满足对控制和信号处理能力高效、易用融合有需求的数字信号控制市场。它还提供了内存保护单元（MPU）和强大的跟踪技术，以增强应用程序安全性和高级调试支持。