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特性：Arm 32位Cortex-M3 CPU内核。最高72 MHz频率，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz (DPrystone 2.1)。单周期乘法和硬件除法。64或128 KB的闪存。20 KB的SRAM。2.0至3.6V的应用电源和I/O

特性：核心：ARM 32位Cortex-M4 CPU，带FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator），允许从闪存零等待状态执行，频率高达168 MHz，具备内存保护单元，210 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持DSP指令。 存储器：高达1 Mbyte闪存，高达192 + 4 Kbytes SRAM，包括64 Kbyte CCM（核心耦合内存）数据RAM，灵活的静态内存控制器，支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器。 LCD并行接口，支持8080/6800模式。

特性：核心：ARM 32位Cortex-M3 CPU，最高频率72 MHz，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），单周期乘法和硬件除法。 存储器：256至512 Kbytes的闪存，高达64 Kbytes的SRAM，带有4个片选的灵活静态存储器控制器，支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器，LCD并行接口，8080/6800模式。

特性：核心：ARM 32位Cortex-M4 CPU，带FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator），允许从闪存零等待状态执行，频率高达168 MHz，具备内存保护单元，210 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持DSP指令。 存储器：高达1 Mbyte闪存，高达192 + 4 Kbytes SRAM，包括64 Kbyte CCM（核心耦合内存）数据RAM，灵活的静态内存控制器，支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器。 LCD并行接口，支持8080/6800模式。

推荐配套使用产品C20625731 ABM8-272-T3 与 C2040 RP2040 RP2040 is a low-cost, high-performance microcontroller device with flexible digital interfaces. Key features: Dual Cortex M0+ processor cores, up to 133 MHz 264 kB of embedded SRAM in 6 banks 30 multifunction GPIO 6 dedicated IO for SPI Flash (supporting XIP) Dedicated hardware for commonly used peripherals Programmable IO for extended peripheral support 4 channel ADC with internal temperature sensor, 0.5 MSa/s, 12-bit conversion USB 1.1 Host/Device

特性：ARM 32位Cortex-M3 CPU内核，最高频率72 MHz，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持单周期乘法和硬件除法。 64或128 Kbytes的闪存和20 Kbytes的SRAM。 时钟、复位和电源管理：2.0至3.6 V应用电源和I/O，POR、PDR和可编程电压检测器（PVD），4至16 MHz晶体振荡器，内部8 MHz工厂校准RC，内部40 kHz RC，用于CPU时钟的PLL，带校准的32 kHz振荡器用于RTC。 低功耗：睡眠、停止和待机模式，VBAT为RTC和备份寄存器供电。 2个12位、1 µs A/D转换器（最多16个通道），转换范围：0至3.6 V，双采样和保持能力，温度传感器。 7通道DMA控制器，支持的外设：定时器、ADC、SPI、I²C和USART

特性：核心：32 位 Arm Cortex-M4 CPU 带 FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）可实现从闪存零等待状态执行，频率高达 168 MHz，具备内存保护单元，210 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持 DSP 指令。 存储器：高达 1 M 字节闪存；高达 192 + 4 K 字节 SRAM，包括 64 K 字节 CCM（核心耦合内存）数据 RAM；512 字节 OTP 内存；灵活的静态内存控制器，支持 Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR 和 NAND 内存。 LCD 并行接口，支持 8080/6800 模式。

特性：核心：16 MHz先进STM8内核，采用哈佛架构和三级流水线，指令集扩展。 存储器：程序存储器：8 Kbyte闪存，在55°C下经过100个周期后数据可保留20年。RAM：1 Kbyte。数据存储器：128字节真数据EEPROM，耐久性高达100k次写/擦除循环。 时钟、复位和电源管理：2.95 V至5.5 V工作电压。灵活的时钟控制，4种主时钟源：低功耗晶体谐振器振荡器

特性：核心：ARM 32 位 Cortex-M0 CPU，频率高达 48 MHz。 内存：16 至 64 KB 的闪存，4 至 8 KB 带硬件奇偶校验的 SRAM。 CRC 计算单元。 复位和电源管理：电压范围 2.4V 至 3.6V，上电/掉电复位（POR/PDR），低功耗模式（睡眠、停止、待机）。 时钟管理：4 至 32 MHz 晶体振荡器，32 kHz 带校准的 RTC 振荡器，内部 8 MHz RC 可选 x6 PLL，内部 40 kHz RC 振荡器。 多达 55 个快速 I/O，均可映射到外部中断向量

主流增强型ARM Cortex-M3 MCU，具有512 KB Flash、72 MHz CPU、电机控制、USB和CAN

TXS0108E 8 位双向电压电平转换器，适用于漏极开路和推挽应用

是一个带有存储寄存器和三态输出的8位串行输入、串行或并行输出移位寄存器。移位寄存器和存储寄存器都有独立的时钟。该器件具有一个串行输入 (DS) 和一个串行输出 (Q7S) 以实现级联，并具有一个异步复位 MR 输入。MR 上的低电平将复位移位寄存器。数据在 SHCP 输入的低到高转换时移位。当输出使能输入 (OE) 为低电平时，存储寄存器中的数据会出现在输出端。OE 上的高电平使输出呈现高阻抗关断状态。OE 输入的操作不影响寄存器的状态。输入包括钳位二极管，这使得可以使用限流电阻将输入连接到超过 VCC 的电压。

这是一款双向电压电平转换器，可用于在混合电压系统之间建立数字开关兼容性。它使用两个独立的可配置电源轨，A端口支持1.65V至3.6V的工作电压，同时跟踪VCCA电源；B端口支持2.3V至5.5V的工作电压，同时跟踪VCCB电源。这允许支持较低和较高的逻辑信号电平，同时在1.8V、2.5V、3.3V和5V电压节点之间提供双向转换能力。当输出使能（OE）输入为低电平时，所有I/O都置于高阻抗状态，这显著降低了电源静态电流消耗。为了在电源开启或关闭期间将器件置于高阻抗状态，通过下拉电阻将OE连接到GND；驱动器的电流源能力决定了电阻的最小值。

SN74LVC1T45 具有可配置电压转换和三态输出的单位双电源总线收发器

74HC14、74HCT14是一款带施密特触发器输入的六反相器。该器件的输入阈值电平经过降低处理，可与TTL逻辑电平接口。输入还包含钳位二极管，这使得能够使用限流电阻将输入连接到超过VCC的电压

SN74LVC1G08 单通道、2 输入、1.65V 至 5.5V 32mA 驱动强度与门

SN74LVC1G17 具有施密特触发输入的 1.65V 至 5.5V 单路缓冲器

SN74LVC1G14 具有施密特触发输入的单路 1.65V 至 5.5V 反相器

SN74LVC1G14是一款具有施密特触发器功能的非门集成电路，可实现数学逻辑运算 Y = A(overline)。该芯片采用先进的CMOS工艺设计，具有低功耗和高输出驱动能力的特点。当VCC电源电压在1 之间时，芯片工作良好

TXS0104E 用于漏极开路应用的 4 位双向电压电平转换器