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特性:低电压过冲。 低导通态电压。 在限制范围内多次浪涌事件后,浪涌能力不会下降。 当浪涌超过额定值时,短路失效。 低电容

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半导体放电管,反向截止电压(Vdrm):275V,反向漏电流(Idrm)<5uA,开关电压(Vs)<350V,维持电流(Ih)>120mA,通态电压(Vt)<4V ,通态电流(It):2.2A,器件电容(Co):75pF,10/700>8KV

半导体放电管,反向截止电压(Vdrm):275V,反向漏电流(Idrm)<5uA,开关电压(Vs)<350V,维持电流(Ih)>120mA,通态电压(Vt)<4V ,通态电流(It):2.2A,器件电容(Co):45pF,10/700>4KV

DO-214AC 晶闸管固态保护晶闸管,用于保护调制解调器、线路卡、传真机等电信设备以及其他客户驻地设备(CPE)。B系列器件用于使设备满足各种监管要求,包括GR 1089、ITU K.20、K.21和K.45、IEC 60950、UL 60950以及TIA-968(以前称为FCC Part 68)。

特性:双向撬棒式瞬态电压保护。 高浪涌能力。 高关态阻抗。 低泄漏电流。 低导通态电压。 短路故障模式。应用:帮助保护敏感电信设备免受闪电、电源接触和电源感应造成的危害。 中央办公室交换设备

用于保护调制解调器、线卡、CPE和DSL设备等基带设备免受破坏性过电压瞬变影响。该系列提供强大的浪涌峰值电流能力,使设备符合全球监管标准。

广泛应用于通信接口、安防监控、工业控制、消费电子、汽车电子等

断态峰值电压(Vdrm) 140V;开关电压(Vs) 180V;峰值脉冲电流-Ipp(10/1000us) 80A;漏电流(Idrm) 5uA; 维持电流(Ih) 150mA;通态电压(Vt) 4V;通态电流(It) 2.2A

断态峰值电压(Vdrm) 320V;开关电压(Vs) 400V;峰值脉冲电流-Ipp(10/1000us) 100A;漏电流(Idrm) 5uA;维持电流(Ih) 120mA;通态电压(Vt) 4V;通态电流(It) 2.2A

用于保护调制解调器、线卡、CPE和DSL设备等基带设备免受破坏性过电压瞬变影响。该系列提供强大的浪涌峰值电流能力,使设备符合全球监管标准。

用于保护调制解调器、线卡、CPE和DSL设备等基带设备免受破坏性过电压瞬变影响。该系列提供强大的浪涌峰值电流能力,使设备符合全球监管标准。

半导体放电管

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特性:适用于表面贴装应用,以优化电路板空间。 低轮廓封装。 双向撬棒保护。 低泄漏电流。 低导通状态电压。 低电容。 固态硅技术。 消除快速上升瞬态引起的过电压

标准30A Trisil

标准50A Trisil

以太网线路的保护

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特性:SMA或SMB封装。 双向配置。 低泄漏 < 5 μA。 对浪涌电压快速响应。 无铅版本符合RoHS标准。应用:T1/E1干线和线路卡。 RS-485/RS-232/RS-422