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过压保护

半导体放电管,反向截止电压(Vdrm):400V,反向漏电流(Idrm)<5uA,开关电压(Vs)<520V,维持电流(Ih)>0mA,通态电压(Vt)<4V ,通态电流(It):2.2A,器件电容(Co):35pF,10/700>8KV

特性:具有出色的吸收瞬态浪涌能力。 对浪涌电压响应迅速(纳秒级)。 无退化现象。 消除快速上升瞬变引起的过电压。 双向。 额定浪涌电压:4KV(10/700μs)。应用:RS485/232/422

半导体放电管

特性:出色的吸收瞬态浪涌能力。 对浪涌电压快速响应。 消除快速上升瞬变引起的过电压。 湿度敏感度等级:1级。 重量:87mg。 非退化性。应用:以太网

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特性:优秀的瞬态浪涌吸收能力。 对浪涌电压快速响应(纳秒级)。 消除快速上升瞬变引起的过电压。 湿度敏感度等级:1级。 重量88mg。 无退化。应用:RS485/232/422

用于保护调制解调器、线卡、CPE和DSL设备等基带设备免受破坏性过电压瞬变影响。该系列提供强大的浪涌峰值电流能力,使设备符合全球监管标准。

SPD8811B是一种双向TSS(晶闸管浪涌抑制器),可以为IC提供ESD保护。它专门设计用于保护电信设备免受过电压瞬变的损害。SPD8811B可用于使设备满足各种监管要求,包括ITU-T K.20、K.21和IEC 61000-4-5。SPD8811B采用SMB封装。标准产品是无铅和无卤素的。

用于保护调制解调器、线卡、CPE和DSL设备等基带设备免受破坏性过电压瞬变的影响。提供强大的峰值浪涌电流能力,使设备符合全球监管标准。

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断态峰值电压(Vdrm) 190V;开关电压(Vs) 260V;峰值脉冲电流-Ipp(10/1000us) 100A;漏电流(Idrm) 5uA;维持电流(Ih) 150mA;通态电压(Vt) 4V;通态电流(It) 2.2A

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断态峰值电压(Vdrm) 6V 开关电压(Vs) 25V 峰值脉冲电流-Ipp(10/1000us) 45A 漏电流(Idrm) 5uA 维持电流(Ih) 50mA 通态电压(Vt) 4V 通态电流(It) 2.2A 断态电容(Co) 50pF

半导体放电管,反向截止电压(Vdrm):58V,反向漏电流(Idrm)<5uA,开关电压(Vs)<77V,维持电流(Ih)>120mA,通态电压(Vt)<4V ,通态电流(It):2.2A,器件电容(Co):55pF,10/700>4KV

特性:低电容。 不会因电压损坏。 不会疲劳。 消除电压过冲。 玻璃钝化结。 无卤且符合RoHS标准。 封装:SMBJ(DO-214AA),模压塑料。 UL可燃性分类等级94V0。 安装位置:任意

DO-214AC 晶闸管 固态保护晶闸管 保护电信设备,如调制解调器、线路卡、传真机和其他CPE。P系列器件用于使设备满足各种监管要求,包括GR 1089、ITU K.20、K.21和K.45、IEC 60950、UL 60950以及TIA-968(以前称为FCC Part 68)。

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半导体放电管,反向截止电压(Vdrm):58V,反向漏电流(Idrm)<5uA,开关电压(Vs)<77V,维持电流(Ih)>120mA,通态电压(Vt)<4V ,通态电流(It):2.2A,器件电容(Co):125pF,10/700>6KV