特性:BVCEO > -120V。 BVCBO > -140V。 IC = -2A 高连续电流。 hFE > 2k 高增益。 无铅涂层;符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。应用:灯具。 继电器
DIODES(美台)SOT-223
二极管 / 晶体管达林顿管
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特性:BVCEO > 120V。 BVcBo > 140V。 IC = 1.5A 高连续电流。 hFE > 2k 高增益 (G) A。 无铅涂层;符合 RoHS 标准。 无卤素和锑 “绿色” 器件。应用:灯。 继电器
DIODES(美台)SOT-223
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该达林顿双极功率晶体管适用于通用放大器和低速开关应用。MJD122 (NPN) 和 MJD127 (PNP) 为互补器件。
onsemi(安森美)TO-252(DPAK)
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TOSHIBA(东芝)TO-252-3
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低压NPN功率达林顿晶体管
ST(意法半导体)TO-263-2
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此 NPN 双极达林顿晶体管适用于打印字锤、继电器、电磁阀和灯驱动器等开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适合低功率表面贴装应用。
onsemi(安森美)SOT-23
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此 NPN 双极达林顿晶体管适用于开关应用,如打印锤、继电器、电磁阀和灯驱动器。此器件采用 SOT-23 封装,适合低功率表面贴装应用。
onsemi(安森美)SOT-23
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NPN达林顿晶体管采用SOT89塑料封装。
Nexperia(安世)SOT-89-3
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该达林顿双极功率晶体管适用于通用放大器和低速开关应用。MJD122 (NPN) 和 MJD127 (PNP) 为互补器件。
onsemi(安森美)TO-252(DPAK)
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达林顿晶体管阵列广泛用于电机控制、继电器驱动和电源管理等领域。
GOODWORK(固得沃克)SOP-16
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PNP达林顿晶体管,采用小型SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。PNP互补型号:BCV26
Nexperia(安世)SOT-23
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Nexperia(安世)SOT-223
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PNP 硅双极型放大器三极管
ST(先科)TO-92
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类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):60V 耗散功率(Pd):1.1W 集电极电流(Ic):500mA
JSMSEMI(杰盛微)SOT-89
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NPN,Vceo=60V,Ic=300mA
DIODES(美台)SOT-23
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特性:中功率互补硅晶体管
CJ(江苏长电/长晶)TO-126
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0 塑封封装PNP 半导体三极管。
BLUE ROCKET(蓝箭)TO-220
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NPN型达林顿管
CJ(江苏长电/长晶)TO-220
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NPN DARL 60V 2A
ROHM(罗姆)TO-252-2(DPAK)
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NPN小信号达林顿晶体管,采用表面贴装SOT89塑料封装。PNP互补型号为BCV28和BCV48。
Nexperia(安世)SOT-89-3
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