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三极管

特性:高集电极电流。 高电流增益

低集电极 - 发射极饱和电压 引脚成型,适用于表面贴装应用

TO-252 塑封封装 NPN 半导体三极管 用于中功率线性开关放大 100V 5A

特性:120 Volt VCEO。 1 Amp连续电流。 在Ic = 1 Amp时增益为2K。 Ptot = 1 Watt

公开页面暂无产品说明。

特性:保证直流电流增益 (hFE) 规格高达 2A。 低饱和电压。 与 FZT705 互补

该器件专为在高达 1.0A 的电流下需要极高电流增益的应用而设计。

该NPN型三极管具备5A的集电极电流(IC)和100V的集电极-发射极电压(VCEO),适用于中高功率的放大与开关应用。其直流电流放大系数(HFE)高达2000至8000,表现出优异的增益特性,有利于提升信号控制的灵敏度与效率。器件具备良好的饱和特性和开关响应能力,适合用于电源调节、电机驱动、功率转换及高增益放大电路中,可广泛应用于各类消费类电子产品与通信设备中的核心控制与功率处理模块。

互补功率达林顿晶体管

器件采用具有“基极岛”布局的平面技术和单片达林顿结构制造。由此产生的晶体管具有出色的高增益性能和极低的饱和电压。

此类双极功率达林顿晶体管用作互补通用放大器应用中的输出器件。

此 NPN 双极达林顿晶体管适用于打印字锤、继电器、电磁阀和灯驱动器等开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适合低功率表面贴装应用。

NPN,VCEO:60V,IC:0.5A,PD:1.1W VCE(sat):1.5V

NPN 集电极—发射极电压(Vceo):100V 集电极电流(Ic):5A 功率(Pd):65W 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat1)@Ic,Ib):2V@3A,12mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):1000@0.5A,3V,工作温度:+150°C@(Tj)

适用于通用放大器和低速开关应用。

是硅外延基NPN功率晶体管,采用单片达林顿结构,安装在Jedec TO-220塑料封装中。适用于功率线性和开关应用。互补PNP类型为BDw94C,BDw94B也是PNP类型。

汽车级高压点火线圈驱动器NPN功率达林顿晶体管

NPN,Vceo=30V,Ic=0.3A

类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):60V 直流电流增益(hFE):10000 耗散功率(Pd):300mW 集电极电流(Ic):500mA