PNP
CJ(江苏长电/长晶)TO-126-3
二极管 / 晶体管达林顿管
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NPN 达林顿晶体管 此器件适用于收集器电流达 500 mA、需要极高电流增益的应用。源自 Process 03。
onsemi(安森美)SOT-223-4L
二极管 / 晶体管达林顿管
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特性:中功率互补硅晶体管
CJ(江苏长电/长晶)TO-220
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互补功率达林顿晶体管
ST(意法半导体)TO-220
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双NPN,Vceo=80V,Ic=2A
DIODES(美台)SOT-223
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晶体管类型:NPN,集电极电流:8A,集射极击穿电压:100V,耗散功率:20W,适用于线性及开关应用。
Huixin(慧芯)TO-252
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采用具有“基极岛”布局的平面技术和单片达林顿结构制造。由此产生的晶体管具有出色的高增益性能和极低的饱和电压。
ST(意法半导体)TO-247
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LRC(乐山无线电)SOT-23
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特性:高击穿电压:BVCEO > 100V。 高连续集电极电流 IC = 900mA。 峰值脉冲电流 ICM = 5A。 功耗 625mW。 hFE > 5k 直至 2A,以保持高电流增益。 互补 PNP 型:FMMT734。应用:灯。 继电器
YFW(佑风微)SOT-23-3L
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低集电极-发射极饱和电压。引脚成型,适用于表面贴装应用。高直流电流增益。批次间变化极小,确保器件性能稳定可靠
Slkor(萨科微)TO-252
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器件采用平面基岛技术制造,具有单片达林顿结构。
ST(意法半导体)SOT-32-3
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特性:BVCEO > 120V。 低饱和电压 < 1.5V @ 1A。 达林顿晶体管 DFE > 2k @ 1A。 IC = 1A 高连续集电极电流。 符合无铅表面处理;符合 RoHS 标准。 无卤素和锑。应用:各种驱动功能。 灯具
DIODES(美台)SOT-89
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高电流互补硅功率晶体管用作互补通用放大器应用中的输出器件。
onsemi(安森美)TO-204(TO-3)
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用于通用应用的达林顿晶体管
SHIKUES(时科)SOT-23
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特性:达林顿放大器
FUXINSEMI(富芯森美)SOT-23
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CBI(创基)SOT-23
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特性:与KSP63互补
FUXINSEMI(富芯森美)TO-92
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特性:S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 AEC-Q101合格且具备生产件批准程序(PPAP)能力。 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR)且符合RoHS标准
onsemi(安森美)SOT-23
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特性:高直流电流增益:hFE = 2000(最小值)(VCE = 2V, IC = 1A)。 集电极和基极之间包含齐纳二极管。应用:电磁阀驱动应用。 电机驱动应用
TOSHIBA(东芝)TSM
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YFW(佑风微)TO-252
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