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GMIC(绿微)TO-220-3
二极管 / 晶体管达林顿管
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特性:高直流电流增益:hFE = 2000(最小值)(VCE = 2 V,IC = 1.0 A)。 集电极和基极之间包含齐纳二极管。应用:电磁阀驱动应用。 电机驱动应用
TOSHIBA(东芝)SC-62
二极管 / 晶体管达林顿管
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Nexperia(安世)SOT-89-3
二极管 / 晶体管达林顿管
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特性:适用于一般音频应用。 高集电极电流。 高电流增益。 无铅(符合RoHS标准)封装。 根据AEC Q101标准认证
Infineon(英飞凌)SOT-223
二极管 / 晶体管达林顿管
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器件采用平面基岛技术制造,具有单片达林顿结构。
ST(意法半导体)SOT-32-3
二极管 / 晶体管达林顿管
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该达林顿双极功率晶体管适用于通用放大器和低速开关应用。MJD122 (NPN) 和 MJD127 (PNP) 为互补器件。
onsemi(安森美)TO-252(DPAK)
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特性:适用于中功率放大和开关。 高电流增益
Slkor(萨科微)SOT-23
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用于通用应用的达林顿晶体管
SHIKUES(时科)SOT-23
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CBI(创基)SOT-23
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CBI(创基)SOT-23
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单路 大电流达林顿管 ,集电极输出电流输入兼容 TTL/CMOS 逻辑信号
LANKE(兰科)SOT-23-6
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类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):30V 耗散功率(Pd):200mW 集电极电流(Ic):500mA
JSMSEMI(杰盛微)SOT-23
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Nexperia(安世)SOT-223-3
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特性:外延平面芯片结构,适用于低功率放大和开关。 完全无铅,完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件
DIODES(美台)SOT-23
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此 PNP 双极达林顿晶体管适用于开关应用,如打印锤、继电器、电磁阀和灯驱动器。此器件采用 SOT-23 封装,适合低功率表面贴装应用。
onsemi(安森美)SOT-23
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MJD127GT是一款 PNP 型达林顿晶体管,广泛用于功率放大和开关电路中,具有高电流增益和较强的负载驱动能力。
GMIC(绿微)TO-252-2
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PNP 集电极—发射极电压(Vceo):-100V 集电极电流(Ic):-5A 功率(Pd):65W 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat1)@Ic,Ib):-2V@-3A,-12mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):1000@-0.5A,-3V,工作温度:+150°C@(Tj)
minos(迈诺斯)TO-252
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特性:高电流增益
ROHM(罗姆)SOT-23
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是硅外延基极NPN功率晶体管,采用单片达林顿结构,安装在TO-126塑料封装中。适用于中功率线性和开关应用。互补PNP类型分别对应。
YFW(佑风微)TO-126
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NPN达林顿晶体管采用SOT223塑料封装。PNP互补型号为PZTA64。
Nexperia(安世)SOT-223-3
二极管 / 晶体管达林顿管
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