专为通用放大器和低速开关应用而设计
JSMSEMI(杰盛微)TO-220
二极管 / 晶体管达林顿管
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该器件专为在集电极电流高达500mA时需要极高电流增益的应用而设计。
onsemi(安森美)SOT-223-4
二极管 / 晶体管达林顿管
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铁封 PNP 3个扁脚 -5A -100V 放大倍数:1000 1K/盒、PNP达林顿管、TO-220AB、最小包装数量:50
YFW(佑风微)TO-220AB
二极管 / 晶体管达林顿管
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是硅外延基极NPN功率晶体管,采用单片达林顿结构,安装在Jedec TO-220塑料封装中。适用于功率线性和开关应用。互补PNP类型分别为对应型号。
ST(意法半导体)TO-220
二极管 / 晶体管达林顿管
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该达林顿双极功率晶体管适用于通用放大器和低速开关应用。MJD122 (NPN) 和 MJD127 (PNP) 为互补器件。
onsemi(安森美)TO-252(DPAK)
二极管 / 晶体管达林顿管
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NPN 集射极击穿电压(Vceo):100V 集电极电流(Ic):10A 功率(Pd):80W 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat1)@Ic,Ib):2V@5A,10mA 直流电流增益(hFE1@Ic,Vce):1000@5A,4V,工作温度:+150°C@(Tj)
minos(迈诺斯)TO-247
二极管 / 晶体管达林顿管
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用作互补通用放大器应用中的输出器件。
JSMSEMI(杰盛微)TO-3
二极管 / 晶体管达林顿管
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CBI(创基)SOT-23
二极管 / 晶体管达林顿管
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NPN 电流:500mA 电压:30V
CBI(创基)SOT-23
二极管 / 晶体管达林顿管
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NPN 电流:500mA 电压:30V
CBI(创基)SOT-523
二极管 / 晶体管达林顿管
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LRC(乐山无线电)SOT-23
二极管 / 晶体管达林顿管
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适用于通用放大器和低速开关应用。
GOODWORK(固得沃克)SOT-23
二极管 / 晶体管达林顿管
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特性:高集电极电流。 高电流增益
PJSEMI(平晶微)SOT-23
二极管 / 晶体管达林顿管
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达林顿类型:PNP。 集电极电流IC:-4A 集电极-基极击穿电压VCBO:-60V 集电极-发射极击穿电压VCEO:-60V
DDF(鼎德丰)TO-126
二极管 / 晶体管达林顿管
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特性:达林顿连接,具有高直流电流增益。 基极和发射极之间内置 4kΩ 电阻。 与 2SB852K 互补。应用:高增益放大器
ROHM(罗姆)TO-236-3(SOT-23-3)
二极管 / 晶体管达林顿管
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是硅外延基极NPN功率晶体管,采用单片达林顿结构,安装在TO-126塑料封装中。适用于中功率线性和开关应用。互补PNP类型分别对应。
YFW(佑风微)TO-126
二极管 / 晶体管达林顿管
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专为通用放大器和低速开关应用而设计
JSMSEMI(杰盛微)TO-252
二极管 / 晶体管达林顿管
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此款达林顿管采用TO-252-2L封装,是一款高性能PNP型双极功率晶体管。拥有100V的集射极击穿电压(Vceo)及8A的最大集电极电流(Ic),额定功率耗散为1.5W。其具有超低饱和电压,在8A集电极电流和80mA基极电流时,VCE(sat)仅为4V,确保高效能运行。此外,该器件在4A/4V条件下提供出色的直流电流增益,hFE范围介于1000至12000之间。适用于通用放大器设计以及低速开关应用场合,以其卓越的电气参数与稳定性能,满足各类中高功率电路需求。
HXY MOSFET(华轩阳电子)TO-252-2L
二极管 / 晶体管达林顿管
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是硅外延基极NPN功率晶体管,采用单片达林顿结构,安装在TO-126塑料封装中。适用于中功率线性和开关应用。互补PNP类型分别对应。
YFW(佑风微)TO-126
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GMIC(绿微)TO-220
二极管 / 晶体管达林顿管
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