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集电极-发射极饱和电压低、开关速度快。

这款NPN型三极管(BJT)的最大集电极电流IC为5A,适用于中等电流需求的应用。其VCEO(集电极-发射极击穿电压)为100V,能够在较高电压条件下稳定工作。在3A集电极电流和3V电压条件下,该三极管的HFE(电流增益)范围为1K至12K,提供了稳定的电流放大性能。此元件适用于多种电子设备中的信号放大与开关应用,如消费电子产品的电路设计。

专为通用放大器和低速开关应用而设计。

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特性:单片达林顿配置。集成反并联集电极-发射极二极管

器件采用平面基岛技术制造,具有单片达林顿结构。

器件采用具有“基极岛”布局的平面技术和单片达林顿结构制造。由此产生的晶体管具有出色的高增益性能和极低的饱和电压。

特性:120V VCEO。1A 连续电流。当 Ic = 1A 时,增益为 3K。Ptot = 1W。应用:灯、螺线管和继电器驱动器

特性:高直流电流增益。 集电极-发射极内置阻尼二极管。 无卤“绿色”器件。 湿度敏感度等级1。 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。 无铅涂层/符合RoHS标准

是硅外延基极NPN功率晶体管,采用单片达林顿结构,安装在TO-220塑料封装中。适用于功率线性和开关应用。互补PNP类型为TIP107。

·设计用于通用放大器和低速开关应用。

设计适用于低频功率放大器的应用。

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达林顿类型:NPN。 集电极电流ICM:500MA 集电极-基极击穿电压VCBO:30V 集电极-发射极击穿电压VCEO:30V

器件采用具有“基极岛”布局的平面技术和单片达林顿配置制造。由此产生的晶体管具有出色的高增益性能和非常低的饱和电压。

采用TO - 220C封装。达林顿管。高直流电流增益

PNP 集射极击穿电压(Vceo):80V 集电极电流(Ic):1A 功率(Pd):1.25W 直流电流增益(hFE@Vce,Ic):2000@10V,500mA

无

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