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该器件为达林顿三极管,内含阻尼二极管,用于高增益电路。

特性:专为通用放大器和低速开关应用设计。 符合RoHS标准

塑封封装NPN 半导体三极管。

器件采用平面基岛技术制造,具有单片达林顿结构。

NPN小信号达林顿晶体管,采用表面贴装SOT89塑料封装。PNP互补型号为BCV28和BCV48。

这款高性能 NPN 达林顿晶体管采用小外形 SOT23 扁平封装,适用于空间有限的应用场景。

PNP 集射极击穿电压(Vceo):-100V 集电极电流(Ic):-10A 功率(Pd):80W 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat1)@Ic,Ib):-2V@-5A,-10mA 直流电流增益(hFE1@Ic,Vce):1000@-5A,-4V,工作温度:+151°C@(Tj)

该达林顿双极功率晶体管适用于通用放大器和低速开关应用。TIP120、TIP121、TIP122 (NPN);TIP125、TIP126、TIP127 (PNP) 为互补器件。

用作互补通用放大器应用中的输出器件。

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用于通用应用的达林顿晶体管。该晶体管根据其直流电流增益细分为一组。根据特殊要求,这些晶体管可以采用不同的引脚配置制造。

NPN,Vceo=30V,Ic=0.3A

特性:BV<sub>CES</sub> > 80V (I<sub>C</sub> = 100 μA)。达林顿连接。应用:音频小信号放大器

NPN,30V/0.3A 0.5W, hFE:10000(Min.),fT:125MHz,VCE(sat):1.5V

此器件适用于电流达 800 mA、需要极高电流增益的应用。源自 Process 61。

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特性:达林顿连接,具有高直流电流增益。 基极和发射极之间内置4kΩ电阻。 与2SD1383K互补。应用:高增益放大器

特性:Darlington连接,具有高直流电流增益(典型值:在VCE = 3V、IC = 0.5A时,直流电流增益为15000)。 高输入阻抗。应用:低频放大器

专为通用放大器和低速开关应用而设计

PNP 集射极击穿电压(Vceo):-100V 集电极电流(Ic):-5A 功率(Pd):65W 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat1)@Ic,Ib):-2V@-3A,-12mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):1000@-0.5A,-3V,工作温度:+151°C@(Tj)