·设计用于补充通用放大器应用中的输出设备。
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设计用于补充通用放大器应用中的输出设备。
高浪涌电流能力、专为表面安装应用而设计、GPP芯片、符合欧盟RoHS
应用:前置放大器输入应用
达林顿类型:NPN。 集电极电流ICM:500MA 集电极-基极击穿电压VCBO:30V 集电极-发射极击穿电压VCEO:30V
PNP,-30V,-500mA
特性:外延平面芯片结构。 提供互补NPN类型。 超小表面贴装封装。 适用于中功率放大和开关。 高电流增益。 无铅/符合RoHS标准。 “绿色”器件
NPN外延硅达林顿晶体管
采用SOT23塑料封装的NPN达林顿晶体管。PNP互补型号:PMBTA64。
达林顿类型:PNP。 集电极电流IC:-4A 集电极-基极击穿电压VCBO:-45V 集电极-发射极击穿电压VCEO:-45V
封装: TO-220-3 晶体管类型: NPN 直流电流增益(hFE):1000 集射极击穿电压(Vceo):100V 功率: 5V
PNP达林顿晶体管,采用SOT223塑料封装。NPN互补型号:BSP51
采用SOT89塑料封装的NPN达林顿晶体管。互补PNP型晶体管:BST60、BST61和BST62。
器件采用具有“基极岛”布局的平面技术和单片达林顿结构制造。由此产生的晶体管具有极高的增益性能和极低的饱和电压。
采用SOT89塑料封装的PNP达林顿晶体管。互补的NPN型晶体管有:BST50、BST51和BST52。
器件采用平面基岛技术制造,具有单片达林顿结构。
低集电极饱和电压 高直流电流增益
采用SOT89塑料封装的PNP达林顿晶体管。NPN互补型号:BCV29和BCV49。
PNP达林顿晶体管采用SOT223塑料封装。NPN互补型号为BSf50
特性:BVCEO > 120V。 BVcBo > 140V。 IC = 1.5A 高连续电流。 hFE > 2k 高增益 (G) A。 无铅涂层;符合 RoHS 标准。 无卤素和锑 “绿色” 器件。应用:灯。 继电器
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