该 8A 80 V NPN 达林顿双极功率晶体管适用于通用放大器和低速开关应用。
onsemi(安森美)TO-220
二极管 / 晶体管达林顿管
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SPTECH(深圳质超)TO-220C
二极管 / 晶体管达林顿管
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应用汽车点火开关调节器电机控制应用
SPTECH(深圳质超)TO-3
二极管 / 晶体管达林顿管
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用于点火线圈的高压NPN达林顿晶体管
ST(意法半导体)DPAK
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设计用于补充通用放大器应用中的输出装置
SPTECH(深圳质超)TO-3
二极管 / 晶体管达林顿管
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适用于通用放大器和低频开关应用,如线性和开关开关设备。
SPTECH(深圳质超)TO-3
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MICROCHIP(美国微芯)TO-66
二极管 / 晶体管达林顿管
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封装: TO-252-2(DPAK) 晶体管类型: NPN 直流电流增益(hFE):1000 集射极击穿电压(Vceo):100V 功率: 1.75V
ChipNobo(无边界)TO-252
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PNP
Nexperia(安世)TO-236AB
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Polarity:PNP、VCEO/V:-30、I/A:-1、达林顿管、TO-92、最小包装数量:1000
YFW(佑风微)TO-92
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达林顿类型:PNP。 集电极电流IC:-4A 集电极-基极击穿电压VCBO:-80V 集电极-发射极击穿电压VCEO:-80V
DDF(鼎德丰)TO-126
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YFW(佑风微)TO-252
二极管 / 晶体管达林顿管
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达林顿类型:NPN。 集电极电流IC:4A 集电极-基极击穿电压VCBO:45V 集电极-发射极击穿电压VCEO:45V
DDF(鼎德丰)TO-126
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硅外延基NPN、功率晶体管,采用单片达林顿结构,适用于中功率线性整流开关应用场合。
YFW(佑风微)TO-126
二极管 / 晶体管达林顿管
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器件采用具有“基极岛”布局的平面技术和单片达林顿结构制造。由此产生的晶体管具有极高的增益性能和极低的饱和电压。
Cmos(广东场效应半导体)TO-252
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特性:中功率互补硅晶体管
CJ(江苏长电/长晶)TO-126
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该器件专为在集电极电流高达 500 mA 时需要极高电流增益的应用而设计。
onsemi(安森美)TO-92-3L
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特性:BVCEO > 100V。 BVCBO > 100V。 IC = 1.5A 高连续电流。 hFE > 10k(在100mA时实现高增益)。 无铅涂层;符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。应用:灯。 继电器
DIODES(美台)SOT-223
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2.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor
onsemi(安森美)DPAK
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·设计用于通用放大器和低速开关应用
SPTECH(深圳质超)TO-220C
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