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NPN,Vceo=150V,Ic=10A

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器件采用具有“基极岛”布局的平面技术和单片达林顿结构制造。由此产生的晶体管具有极高的增益性能和极低的饱和电压。

NPN 达林顿晶体管 此器件适用于收集器电流达 500 mA、需要极高电流增益的应用。源自 Process 03。

特性:外延平面芯片结构。 提供互补NPN类型。 超小表面贴装封装。 适用于中功率放大和开关。 高电流增益。 无铅/符合RoHS标准。 “绿色”器件

特性:80V VCEO。 1A 连续电流。 集电极电流 (Ic) 为 1A 时增益为 2K。 总功耗 (Ptot) 为 1W。 E 型引脚与 TO92 兼容

器件采用平面基岛技术制造,具有单片达林顿结构。

特性:外延平面芯片结构。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑。 “绿色”器件

应用程序·设计用于补充AF推拉输出阶段的应用程序

此 NPN 双极达林顿晶体管适用于打印字锤、继电器、电磁阀和灯驱动器等开关应用。此器件采用 SOT-223 封装,适用于中等功率表面贴装应用。

PNP VCEO:-100 IC:-10 PC:80W 应用领域:专为通用放大器及低频开关应用设计-55°C~+150°C

该高电压双极功率达林顿晶体管专用于电子点火、开关稳压器和电机控制等直感应用。

适用于感性电路中的高压功率开关。

设计用于汽车点火应用和电机控制的逆变器电路

设计用于汽车点火应用和电机控制的逆变器电路

应用程序·设计用于汽车点火、开关和电机控制的应用程序。

高压点火线圈驱动器NPN功率达林顿晶体管

设计用于补充通用放大器应用中的输出设备。

这些器件设计用作通用放大器、低频开关及电机控制应用。

该达林顿双极功率晶体管适用于通用放大器、低频率开关和电机控制应用。MJH11017、MJH11019、MJH11021 (PNP);MJH11018、MJH11020、MJH11022 (NPN) 为互补器件。