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适用于通用放大器和低频开关应用,如线性和开关开关设备。

NPN,Vceo=100V,Ic=2A

特性:高直流电流增益。 电气特性与流行的TIP122相似。 集电极-发射极内置阻尼二极管

公开页面暂无产品说明。

适用于一般音频应用。

NPN,Vceo=100V,Ic=900mA

特性:BVCEO > 120V。 BVCBO > 140V。 IC = 1.5A 高持续电流。 hFE > 2k,1A 时高增益。 完全无铅,完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,环保器件。应用:DC 风扇。 调节晶体管

特性:BVCEO > -100V。 IC = -800mA,高连续集电极电流。 达林顿晶体管,在100mA时,IFE > 20k,高增益。 高增益保持。 高达5A。 625mW功率耗散。 互补达林顿NPN型。 完全无铅,完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准,高可靠性

特性:160 伏 VCEO。 1 安连续电流。 集电极电流(Ic)为 1 安时增益为 5K。 总功率(Ptot)为 1 瓦

该达林顿双极功率晶体管适用于通用放大器和低速开关应用。MJD122 (NPN) 和 MJD127 (PNP) 为互补器件。

·设计用于通用放大器和低频开关的应用。

100V高电压功率达林顿晶体管

采用“基极岛”布局的平面技术和单片达林顿结构制造。

此器件适用于集极电流达 1.0 A和高断开电压的应用。源自 Process 06。

该 8A 80 V NPN 达林顿双极功率晶体管适用于通用放大器和低速开关应用。

MJB5742 达林顿晶体管适用于电感电路中的高电压电源开关。

该 20A 100 V PNP 达林顿双极功率晶体管适用于通用放大器和低频率开关应用。

特性:外延平面芯片结构。 适用于低功率放大和开关。 高电流增益。 互补NPN类型。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准,可靠性高

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硅PNP达林顿晶体管,采用外延平面工艺制造,适用于需要极高增益的应用。