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PNP外延硅晶体管

特性:单片结构,内置基极-发射极并联电阻。 高直流电流增益:在 VCE = 4V、IC = 5A 时,hFE = 1000(最小值)。 工业用途。 与 TIP147T 互补

采用SOT23塑料封装的NPN达林顿晶体管。PNP互补型号:PMBTA64。

达林顿类型:PNP。 集电极电流IC:-4A 集电极-基极击穿电压VCBO:-100V 集电极-发射极击穿电压VCEO:-100V

器件采用具有“基极岛”布局的平面技术和单片达林顿结构制造。由此产生的晶体管具有极高的增益性能和极低的饱和电压。

此 NPN 双极达林顿晶体管适用于打印字锤、继电器、电磁阀和灯驱动器等开关应用。此器件采用 SOT-223 封装,适用于中等功率表面贴装应用。

NPN达林顿晶体管采用SOT89塑料封装。PNP互补型号为BST60、BST61和BST62。

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特性:中功率互补硅晶体管

特性:BVCEO > -120V。 Darlington Transistor。 hFE > 3k @ -1A。 低饱和电压 < -1.3V @ -1A。 IC = -1A 连续集电极电流。 规格也适用于 Eline 和 SOT223 封装外形。应用:各种驱动功能。 灯具

特性:低饱和电压

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特性:BV<sub>CES</sub> > 80V (I<sub>C</sub> = 100 μA)。 达林顿连接。应用:音频小信号放大器

该 PNP 双极功率晶体管适用于通用放大器和低速开关应用。

特性:BVCEO > 100V。Ic = 0.5A 高连续集电极电流。ICM = 2A 峰值脉冲电流。500mW 功率耗散。达林顿晶体管,在 Ic = 0.5A 时 hFE 高达 5k。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑,“绿色”器件。符合 AEC-Q101 高可靠性标准

是一款PNP达林顿晶体管,设计用于通用放大器和低速开关应用。

达林顿类型:PNP。 集电极电流IC:-5A 集电极-基极击穿电压VCBO:-100V 集电极-发射极击穿电压VCEO:-100V

特性:高直流电流增益:在VCE = 4V、IC = 1A时,hCE = 1000(最小值)。 低集电极-发射极饱和电压。 工业用途