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NTE ElectronicsTO-218
二极管 / 晶体管达林顿管
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NTE ElectronicsTO-3
二极管 / 晶体管达林顿管
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NTE ElectronicsTO-3
二极管 / 晶体管达林顿管
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NTE ElectronicsTO-202N
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Solid State SystemTO-220
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Semiwell(矽门微)SOT-523
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环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级 | 无铅涂层/符合RoHS标准 | 适用于开关及音频放大器应用 | 结构坚固性能可靠
POPPULA(宝浦莱)SOT-23
二极管 / 晶体管达林顿管
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NPN
ROHM(罗姆)SC-62
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onsemi(安森美)SOT-223-3
二极管 / 晶体管达林顿管
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该器件采用具有“基极岛”布局的平面技术和单片达林顿配置制造。由此产生的晶体管具有极高的增益性能和非常低的饱和电压。
Cmos(广东场效应半导体)TO-252(DPAK)
二极管 / 晶体管达林顿管
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BLUE ROCKET(蓝箭)TO-252-2
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onsemi(安森美)TO-225-3
二极管 / 晶体管达林顿管
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onsemi(安森美)TO-225-3
二极管 / 晶体管达林顿管
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PNP 达林顿晶体管
onsemi(安森美)TO-220
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onsemi(安森美)TO-220
二极管 / 晶体管达林顿管
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集电极 - 发射极击穿电压:V(BR)CEO = 100V;直流电流增益: hFE = 750(最小值),@ Ic = 1.5A
ISC(无锡固电)TO-126
二极管 / 晶体管达林顿管
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集电极 - 发射极维持电压:VCEO(5US) = 80V(最小值) 高直流电流增益:hFE = 750(最小值),@ lc = 2A
ISC(无锡固电)TO-126
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DIODES(美台)TO-92
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NPN,Vceo=80V,Ic=4A
onsemi(安森美)TO-225-3
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onsemi(安森美)TO-225-3
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