达林顿驱动 7通道达林顿晶体管阵列,工作电压(Vcc)(v50V,驱动电流 Iout(mA)500mA
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ULN2003AI 高电压、大电流达林顿晶体管阵列
七路高耐压大电流达林顿驱动电路 50V 500mA
1、500mA集电极输出电流(单路); 2、耐高压(50V); 3、输入兼容 TTL/CMOS逻辑信号; 4、广泛应用于继电器驱动; 5、静电能力:2000V(HBM
7 通道中继和电感负载下沉式驱动器 16-TSSOP -40 to 85
七路高耐压大电流达林顿驱动电路 50V 500mA
ULN2003AL 是单片集成高耐压、大电流达林顿管阵列,电路内部包含七路独立的达林顿管驱动电路。电路内部设计有续流二极管,可用于驱动继电器、步进电机等电感性负载。单路达林顿管集电极可输出 500mA 电流。将达林顿管并联可实现更高的输出电流能力。该电路可广泛应用于继电器驱动、照明驱动、显示屏驱动(LED)、步进电机驱动和逻辑缓冲器。ULN2003AL 的每一路达林顿管串联一个 2.7K 的基极电阻,在 5V 的工作电压下可直接与 TTL/CMOS 电路连接,可直接处理原先需要标准逻辑缓冲器来处理的数据
500mA额定集电极电流(单路) 工作电压高(40V) 输入兼容TTL/CMOS逻辑信号 输入端口集成4K对地下拉电阻 封装形式:SOP10
新型四路高耐压、大电流达林顿晶体管阵列 1、500mA 集电极输出电流(单路); 2、耐高压(50V); 3、输入兼容 TTL/CMOS 逻辑信号; 4、广泛应用于继电器驱动; 5、静电能力:4000V(HBM)
这些阵列中的七个 NPN 达灵顿联接晶体管非常适用于驱动各种工业和消费应用中的灯、继电器或打印字锤。其高击穿电压和内部抑制二极管可确保电感负载不会出现问题。最高 500 mA 的峰值涌入电流使其能够驱动白炽灯。带 2.7 kΩ 系列输入电阻的 ULx2003A 适用于使用 5.0 V TTL 或 CMOS 逻辑的系统。
TBD62502A 系列和 TBD62503A 系列是 7 路 DMOS 晶体管阵列。使用时请留意散热条件。
ULN2803A 器件是一个 50 V、500 mA 达林顿晶体管阵列。该器件由八个 NPN 达林顿对组成,这些对具有高压输出,并带有用于切换电感负载的共阴极钳位二极管。每个达林顿晶体管对的集电极电流额定值为 500 mA。达林顿晶体管对可以并联以获得更高的电流容量。应用包括继电器驱动器、电锤驱动器、灯驱动器、显示器驱动器(LED 和气体放电)、线路驱动器和逻辑缓冲器。
八路 达林顿晶体管 高耐压 大电流 静电能力:8000V(HBM)
该系列阵列中的八个 NPN 达林顿连接晶体管非常适合用于低逻辑电平数字电路(如 TTL、CMOS 或 PMOS/NMOS)与灯、继电器、打印机锤或其他类似负载的高电流/电压需求之间的接口,广泛应用于计算机、工业和消费领域。所有器件均采用集电极开路输出,并配备用于瞬态抑制的续流钳位二极管。ULN2803 设计为与标准 TTL 系列兼容,而 ULN2804 则针对 6 至 15 伏的高电平 CMOS 或 PMOS 进行了优化
达林顿晶体管阵列 达林顿驱动器,7通道(7-ch),输出电压:50V
ULN2003 是一款高压、大电流达林顿驱动集成电路,由 7 对 NPN 达林顿管组成。所有单元的发射极共用,且每个单元均采用集电极开路输出。每对达林顿管都串联了一个 2.7KΩ 的电阻,可与 TTL 和 5V CMOS 兼容,无需逻辑缓冲器即可进行数据处理
ULN2003 是一款高压、大电流达林顿驱动集成电路,由 7 对 NPN 达林顿管组成。所有单元的发射极共用,且每个单元均采用集电极开路输出。每对达林顿管都串联了一个 2.7KΩ 的电阻,可与 TTL 和 5V CMOS 兼容,无需逻辑缓冲器即可进行数据处理
1、500mA 集电极输出电流(单路); 2、耐高压(50V); 3、输入兼容 TTL/CMOS 逻辑信号; 4、广泛应用于继电器驱动; 5、ULN2003D 内置 4K 对地下拉电阻
这些阵列中的七个 NPN 达灵顿联接晶体管非常适用于驱动各种工业和消费应用中的灯、继电器或打印字锤。其高击穿电压和内部抑制二极管可确保电感负载不会出现问题。最高 500 mA 的峰值涌入电流使其能够驱动白炽灯。带 2.7 kΩ 系列输入电阻的 ULx2003A 适用于使用 5.0 V TTL 或 CMOS 逻辑的系统。
高电压、大电流达林顿晶体管阵列
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