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二极管 / 晶体管型号

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ULN2803是一个50V、500mA达林顿晶体管阵列。该器件由八个NPN达林顿对组成

XBLW(芯伯乐)SOP-18
二极管 / 晶体管达林顿晶体管阵列
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达林顿阵列功率驱动集成电路

HGSEMI(华冠)QFN-16(3x3)
二极管 / 晶体管达林顿晶体管阵列
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7通道达林顿晶体管阵列

HGSEMI(华冠)TSSOP-16
二极管 / 晶体管达林顿晶体管阵列
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7个达林顿阵列

ST(意法半导体)SOIC-16
二极管 / 晶体管达林顿晶体管阵列
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这些阵列中的七个 NPN 达灵顿联接晶体管非常适用于驱动各种工业和消费应用中的灯、继电器或打印字锤。其高击穿电压和内部抑制二极管可确保电感负载不会出现问题。最高 500 mA 的峰值涌入电流使其能够驱动白炽灯。带 2.7 kΩ 系列输入电阻的 MC1413,B 适用于使用 5.0 V TTL 或 CMOS 逻辑的系统。

onsemi(安森美)SOIC-16
二极管 / 晶体管达林顿晶体管阵列
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具有额定50V/500mA驱动能力的晶体阵列器

HTCSEMI(海天芯)SOP-18-300mil
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多通道灌电流驱动器分别由7通道和4通道输出级组成。7通道灌电流驱动器具有7个低输出阻抗驱动器,可最大程度降低片上功耗,是实际应用中流行的ULN2003A系列的低功耗升级版。当驱动典型的12V继电器线圈时,与ULN2003A相比,功耗降低12倍。4通道灌电流驱动器是一种低功耗变体,得益于较少的通道集成,更适合仅需要4通道驱动器的应用,如驱动低压步进电机等

DIODES(美台)UDFN-3030-10-EP
二极管 / 晶体管达林顿晶体管阵列
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具有额定50V/500mA驱动能力8通道P型达林顿晶体阵列

HTCSEMI(海天芯)DIP-18
二极管 / 晶体管达林顿晶体管阵列
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是高电压、高电流达林顿驱动器,由七个 NPN 达林顿对组成。所有单元都具有用于开关感性负载的集成钳位二极管。应用包括继电器、锤、灯和显示器(LED)驱动器。

TECH PUBLIC(台舟)SOP-16
二极管 / 晶体管达林顿晶体管阵列
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新型五通道继电器驱动电路

HGSEMI(华冠)QFN-16(3x3)
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是高电压、大电流达林顿阵列,每个包含七个带公共发射极的集电极开路达林顿对。每个通道额定电流为 500 mA,可承受 600 mA 的峰值电流。包含用于感性负载驱动的抑制二极管,输入引脚与输出引脚相对,以简化电路板布局。该版本可与所有常见逻辑系列接口:ULN2003:5V TTL、CMOS。ULN2004:6-15V CMOS、PMOS。这些多功能器件可用于驱动各种负载,包括螺线管、继电器、直流电机、LED 显示屏、灯丝灯、热敏打印头和高功率缓冲器。

HGSEMI(华冠)DIP-16
二极管 / 晶体管达林顿晶体管阵列
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TPM2003是一款高压、大电流NMOS晶体管阵列。该器件由七个通道的低端NMOS晶体管组成,具有高压输出和用于感性负载的续流二极管。单个NMOS通道的最大漏极电流额定值为500 mA

3PEAK(思瑞浦)SOP-16
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ULN2803AG-MS是一款高耐压、大电流达林顿阵列高电,压、大电流能力、输入兼容性好、输出结构灵活被广泛应用于电机驱动、继电器控制、显示驱动、逻辑缓冲、传感器应用

MSKSEMI(美森科)SOP-18
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ULN2003B 高电压、高电流灵顿晶体管阵列,ULN2003B

TI(德州仪器)SOIC-16
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7个达林顿阵列

ST(意法半导体)SO-16
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八通道高电压,大电流达林顿晶体管阵列

HTCSEMI(海天芯)SOP-18-300mil
二极管 / 晶体管达林顿晶体管阵列
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这些阵列中的七个 NPN 达灵顿联接晶体管非常适用于驱动各种工业和消费应用中的灯、继电器或打印字锤。其高击穿电压和内部抑制二极管可确保电感负载不会出现问题。最高 500 mA 的峰值涌入电流使其能够驱动白炽灯。带 2.7 kΩ 系列输入电阻的 MC1413,B 适用于使用 5.0 V TTL 或 CMOS 逻辑的系统。

onsemi(安森美)SOIC-16
二极管 / 晶体管达林顿晶体管阵列
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是高电压、高电流达林顿驱动器,由七个 NPN 达林顿对组成。所有单元都具有用于开关感性负载的集成钳位二极管。

TOSHIBA(东芝)SOL-16
二极管 / 晶体管达林顿晶体管阵列
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7个达林顿阵列

ST(意法半导体)DIP-16
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TECH PUBLIC(台舟)SOP-8
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