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二极管 / 晶体管型号

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SANKEN(三垦)SIP-12
二极管 / 晶体管达林顿晶体管阵列
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SANKEN(三垦)SIP-10
二极管 / 晶体管达林顿晶体管阵列
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SANKEN(三垦)SIP-12
二极管 / 晶体管达林顿晶体管阵列
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此 P 沟道 JFET 器件适用于模拟开关和斩波器应用。

onsemi(安森美)SOT-23
二极管 / 晶体管结型场效应管(JFET)
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此 N 沟道 JFET 器件适用于模拟开关和斩波器应用。

onsemi(安森美)SOT-23
二极管 / 晶体管结型场效应管(JFET)
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此 N 沟道 JFET 器件适用于模拟开关和斩波器应用。

onsemi(安森美)SOT-23
二极管 / 晶体管结型场效应管(JFET)
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此器件主要用于低电平音频和带有高阻抗信号源的通用应用。源自 Process 52。

onsemi(安森美)SOT-23-3L
二极管 / 晶体管结型场效应管(JFET)
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N 沟道开关 此器件适用于低电平模拟开关、采样和保持电路以及斩波器稳定放大器。源自 Process 51。

onsemi(安森美)SOT-23-3L
二极管 / 晶体管结型场效应管(JFET)
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特性:S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 AEC-Q101合格且具备PPAP能力。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂,且符合RoHS标准

onsemi(安森美)SOT-23
二极管 / 晶体管结型场效应管(JFET)
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特性:高正向传输导纳:|Yfs| = 15 mS(典型值),VDS = 10 V,VGS = 0。 高击穿电压:VGD_S =-30 V。 低噪声:NF = 1.0 dB(典型值),VDS = 10 V,ID = 0.5 mA,f = 1 kHz,RG = 1 kΩ。 高输入阻抗:IGSS =-1 nA(最大值),VGS =-30 V。 小封装。应用:音频频率低噪声放大器应用

TOSHIBA(东芝)SC-59
二极管 / 晶体管结型场效应管(JFET)
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特性:高正向传输导纳:|Yfs| = 15 mS(典型值),VDS = 10 V,VGS = 0。 高击穿电压:VGD_S =-30 V。 低噪声:NF = 1.0 dB(典型值),VDS = 10 V,ID = 0.5 mA,f = 1 kHz,RG = 1 kΩ。 高输入阻抗:IGSS =-1 nA(最大值),VGS =-30 V。 小封装。应用:音频频率低噪声放大器应用

TOSHIBA(东芝)SOT-346
二极管 / 晶体管结型场效应管(JFET)
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JFE2140 双路、超低噪声、低栅极电流音频 N 沟道 JFET

TI(德州仪器)SOIC-8
二极管 / 晶体管结型场效应管(JFET)
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N沟道,10V,0.014A,150mW

TOSHIBA(东芝)SC-59
二极管 / 晶体管结型场效应管(JFET)
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此 N 沟道 JFET 器件适用于高频率放大器和振荡器。

onsemi(安森美)SOT-23
二极管 / 晶体管结型场效应管(JFET)
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onsemi(安森美)TO-92-3
二极管 / 晶体管结型场效应管(JFET)
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JFET,P沟道,30V,50mA

onsemi(安森美)SOT-23
二极管 / 晶体管结型场效应管(JFET)
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此 N 沟道 JFET 器件适用于高频放大器和振荡器。

onsemi(安森美)SOT-23
二极管 / 晶体管结型场效应管(JFET)
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适用于通用和阻抗转换器以及电容式麦克风应用。

TOSHIBA(东芝)SC-59
二极管 / 晶体管结型场效应管(JFET)
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P 沟道开关 此器件适用于低电平模拟开关、采样和保持电路以及斩波器稳定放大器。源自 Process 88。

onsemi(安森美)SOT-23
二极管 / 晶体管结型场效应管(JFET)
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2SK3557 是一款 N 沟道 JFET,15V,10 至 32mA,35mS,CP,适用于高频低噪音放大器应用。

onsemi(安森美)CP-3
二极管 / 晶体管结型场效应管(JFET)
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