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NSVJ3910SB3是一款适用于紧凑和高效设计的汽车级N-通道JFET。具有高增益性能,AEC-Q101认证,适合汽车应用。

此器件主要用于电子开关应用,如低导通电阻模拟开关。源自 Process 50。 RF 晶体管

特性:设计用于低电平模拟开关、采样保持电路和斩波稳定放大器。 源极和漏极可互换。 这些是无铅器件

具有小IGss和小Ciss的N-Channel JFET,适用于紧凑型设备,无铅封装。

此 P 沟道 JFET 器件适用于模拟开关和斩波器应用。

N沟道放大器

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P沟道开关 该器件设计用于低电平模拟开关、采样保持电路以及斩波器稳定放大器。 采用工艺88设计。

此 N 沟道 JFET 器件适用于高频放大器和振荡器。

2SK932 是一款 N 沟道 JFET,15V,5 至 24mA,50mS,CP,适用于高频低噪音放大器应用。

UTC TF2123使用先进的沟槽技术,提供出色的Rds(on),低栅极电荷和低栅极电压下的运行。该器件适用于电容器麦克风应用。

特性:专为低电平模拟开关、采样保持电路和斩波稳定放大器设计。 源极和漏极可互换。 这些是无铅器件

TF412S 是一款结 FET,30 V,10 mA,N 沟道,SOT-883(1.0mm×0.6mm×0.4mm),用于低频率通用型放大器和阻抗转换器应用。

SMMBFJ310LT3G 是一个 N-通道 JFET,适用于高频/超高频放大器。它具有可互换的漏极和源极,适用于汽车和其他需要独特站点和控制变更要求的应用。AEC-Q101 认证,符合 RoHS 标准。

特性:大正向传输导纳。 小输入电容。 小尺寸封装,可使应用设备小型化。 超低噪声系数。 这些是无铅器件。应用:AM调谐器射频放大器。 低噪声放大器

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是一款超低噪声、高IP3晶体管器件,采用E-PHEMT技术,可在单正电源电压下工作。在2.5 GHz以下具有出色的噪声系数,将低噪声系数与高IP3性能集于一身,是要求苛刻的基站应用的理想放大器。可提供组装成完整模块的产品,具备50Ω输入/输出,实现噪声匹配并经过全面规格测试。

N沟道,30V,10mA RF放大器

此器件适用于需要极低导通电阻的模拟或数字开关应用。源自 Process 58。