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二极管 / 晶体管型号

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CPH3910 是一款 N 沟道 JFET,25V,20 至 40mA,40mS,CPH3,适用于高频低噪音放大器应用。

onsemi(安森美)CPH-3
二极管 / 晶体管结型场效应管(JFET)
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NSVJ3557SA3 是一款具有低噪声放大 (LNA) 功能的单 N 沟道结型FET,适用于汽车天线应用。该器件具有高正向转移导纳和低噪声特性,与目前的 JFET 相比,具有高 ESD 抗扰度。此器件通过 AEC-Q101 认证,符合生产件批准程序 (PPAP),适用于汽车应用。

onsemi(安森美)SC-59-3
二极管 / 晶体管结型场效应管(JFET)
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构建于现代高性能模拟双极工艺,在所有电流范围内均提供出色的噪声性能,静态电流可由用户设置,范围为50μA至20mA。当偏置电流为5mA时,该器件会产生0.9nV/√Hz的输入参考噪声,从而以极高的输入阻抗(>1TΩ)提供超低噪声性能。此外,按照+6mV测试JFET之间的匹配,可为差分对配置提供低失调电压和高CMRR性能。还具有连接到独立钳位节点的集成二极管,无需添加高泄漏、非线性外部二极管即可提供保护。可承受40V的高漏源电压,以及低至-40V的栅源电压和栅漏电压。该器件额定工作温度范围为-40°C至 + 125°C。

TI(德州仪器)WSON-8-EP(2x2)
二极管 / 晶体管结型场效应管(JFET)
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此器件适用于需要极低导通电阻的模拟或数字开关应用。源自 Process 58。

onsemi(安森美)TO-92-3L
二极管 / 晶体管结型场效应管(JFET)
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此器件适用于低电平模拟开关、采样和保持电路以及斩波器稳定放大器。源自 Process 88。

onsemi(安森美)TO-92-3
二极管 / 晶体管结型场效应管(JFET)
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MCH5908 是一款 N 沟道 JFET,15V,10 至 32mA,35mS,双 MCPH5,适用于高频放大器、AM 放大器、低频放大器应用。

onsemi(安森美)MCPH-5
二极管 / 晶体管结型场效应管(JFET)
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UTC 2SK3666 是一个N沟道结型硅FET,使用UTC的先进技术提供低IGss和低CRss。适用于低频通用放大器、阻抗转换和红外传感器应用。

UTC(友顺)SOT-23
二极管 / 晶体管结型场效应管(JFET)
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QNHCHIP(乾能惠)TO-92
二极管 / 晶体管结型场效应管(JFET)
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此器件适用于低电平模拟开关、采样和保持电路以及斩波器稳定放大器。源自 Process 51。参见 J111 了解特性。

onsemi(安森美)SOT-23
二极管 / 晶体管结型场效应管(JFET)
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通用、阻抗转换器和电容式麦克风应用。

TOSHIBA(东芝)SC-59
二极管 / 晶体管结型场效应管(JFET)
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特性:专为低电平模拟开关、采样保持电路和斩波稳定放大器设计。 源极和漏极可互换。 这些是无铅器件

onsemi(安森美)TO-92-3L
二极管 / 晶体管结型场效应管(JFET)
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特性:专为低电平模拟开关、采样保持电路和斩波稳定放大器设计。 源极和漏极可互换。 这些是无铅器件

onsemi(安森美)TO-92-3L
二极管 / 晶体管结型场效应管(JFET)
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是一款超低噪声、高 IP3 晶体管器件,采用 E-PHEMT 技术,可在单正电源电压下工作。在 2.5 GHz 以下具有出色的噪声系数,将低噪声系数与高 IP3 性能相结合,是适用于要求苛刻的基站应用的理想放大器。

Mini-CircuitsSC-70-4
二极管 / 晶体管结型场效应管(JFET)
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onsemi(安森美)D2PAK-7
二极管 / 晶体管结型场效应管(JFET)
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DIODES(美台)-
二极管 / 晶体管结型场效应管(JFET)
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此 N 沟道 JFET 器件适用于模拟开关和斩波器应用。

onsemi(安森美)SOT-23
二极管 / 晶体管结型场效应管(JFET)
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NSVJ2394SA3 是一款单 N 沟道结 FET,具有低噪声放大 (LNA) 特性,适用于汽车天线应用。此器件具有高正向传输导纳和低噪声特性,与目前的 JFET 相比,提供更高抗 ESD 性。此器件经过了 AEC-Q101 认证且具有 PPAP 功能,适用于汽车应用。

onsemi(安森美)SC-59
二极管 / 晶体管结型场效应管(JFET)
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onsemi(安森美)TO-263-7
二极管 / 晶体管结型场效应管(JFET)
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QNHCHIP(乾能惠)SOT23-3
二极管 / 晶体管结型场效应管(JFET)
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QNHCHIP(乾能惠)SOT23-3
二极管 / 晶体管结型场效应管(JFET)
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